9月20日，彭博社援引半导体专业分析机构TechInsights的报道称，美国于2022年10月限制先进半导体设备对华出口，并于2022年底将长江存储列入实体清单，2024年，长江存储成功进行了国产半导体设备的替代，并开始稳步发展。

根据报道，长江存储已经开始转向国内半导体设备供应商，包括专注蚀刻设备的中微公司，专注沉积设备的拓荆科技，以及同时从事沉积和蚀刻设备的北方华创等。

我们都知道长江存储是国产存储芯片的“希望之光”，其成立于2016年7月26日，总部位于湖北武汉成立，是一家集设计、制造、封装为一体的IDM类型的存储芯片企业。

成立之初，就拿出了2000亿资金，在南京建造存储芯片基地，产能达到了10万片/月。

2017年11月，研发出国内第一款32层 3D NADA Flash 芯片，工艺水平世界第五；

2019年底，实现64层 3D NADA Flash 量产，工艺水平世界第四；

2020年4月，实现128层闪存的商用，比美光、海力士同规格产品具有更高的存储密度和I/O传输速度，工艺水平杀入世界三强。

2022年8月，全球首发232层3D NAND芯片，工艺水平实现全球领先，一度超越了存储三巨头（三星、SK海力士、美光）

但是紧接着，美商务部就制定政策限制向中国企业出口半导体设备，并于2022年底将长江存储列入“实体清单”。

2023年，美向日、荷施压，形成所谓的“芯片联盟”，日本、荷兰先后于2023年6月、9月颁布半导体设备出口限制政策。

尽管双方均表示不针对任何国家和地区，但是明眼人一看就知道是怎么回事。

失去了海外半导体设备后，长江存储发展受到了限制，先进工艺研发停止了脚步，部分新投生产线因为设备短缺被迫暂停。

长江存储董事长陈南翔气愤的表示：依法合规买回来的设备连零件也拿不到，如果要公平、诚信，就应该在新的条件下把设备回购。

与此同时，存储芯片市场也发生了翻天覆地的变化。

2022年、2023年因为电子产品市场不景气、存储芯片库存较高、中国存储芯片企业的崛起等，导致整个存储芯片市场价格暴跌，

曾经卖到2000元的1TB固态硬盘，价格骤降了90%，只需要200—400元就可以买到，DDR4，过去16GB要500元，现在只要100多，降价80%。

存储三巨头（三星、SK海力士、美光，三家公司把控了全球超过90%的存储芯片）亏损的连亲妈都不认得了。

2023年，存储三巨头合计亏损额达到了1640亿元，其中三星亏损800亿人民币，SK海力士亏损415亿，美光亏损425亿。

但是，随着库存的清理，以及中国存储芯片产能的下降，三星率先开启涨价。

2023年9月，三星电子计划将面向智能手机制造商的DRAM和NAND闪存价格上调10%—20%，10月三星再次上调NAND Flash芯片价格。

2024年6月，三星宣布进一步提高旗下的存储芯片价格，包括DRAM和NAND闪存在第三季度提价15%-20%，理由是人工智能的需求激增。

此时，存储芯片从2023年的最低点普涨了50%，部分产品甚至反弹了近一倍。受此影响，三星电子净利润大幅增长，2024年一季度营业利润350亿人民币，同比暴增9.3倍，二季度551亿元，同比暴增14.6倍。

而中国进口存储芯片却要多支付3600亿元，根据海关统计信息，我国每年进口存储芯片超过1000亿美元，巅峰时期达到了1300多亿美元，近万亿人民币。

我们按照1000亿美元的平均值计算，价格提升50%，我们就要多花费500亿美元，折合人民币3600亿元。

只要中国没有，海外企业就可以堂而皇之的涨价，这是他们的一贯作风。盾构机、光刻机、手机芯片、存储芯片都是如此。

所以，无论是从自身的发展出发，还是从国家的长远布局，长江存储都要咬牙挺过来。

而挺过来的关键就是进行半导体设备的替代，将生产线上的欧美设备，替换成国产设备，让生产线重新跑起来，这并不是一件容易事。

因为从2016—2021年连续5年的招投标来看，长江存储生产线上的国产设备比例仅为15.7%、美国设备占比43.44%、日本设备占比29.52%。

荷兰设备尽管占比为2.77%，却是最关键的光刻机。

长江存储对进口设备依赖程度太高了，128层、232层关键工艺都是依靠海外设备完成的，国产设备能够实现替代的并不多。

从几大核心设备来看：

荷兰光刻机：荷兰ASML，可实现7nm、5nm工艺；国产光刻机：28nm、14nm（牺牲良品率情况下）。

美国刻蚀机：泛林集团（低温电解质技术，可实现1000层NAND）；国产蚀刻机：中微公司5nm水平，覆盖128层NAND工艺。

日本CVD、PVD（化学气相沉积、物理气相沉积）：日本东京电子；国产平替：拓荆科技、北方华创、盛美上海，替代率达到了13%。

美国离子注入机：应用材料市占率 66%，包括大束流、中束流、超高剂量的离子注入，7nm以下；国产替代中科信，28nm工艺，中、大、高能束流离子注入。

目前国产半导体设备的状况是，核心设备都有，但是在精密程度方面差距明显，并且良莠不齐。从“木桶理论”看，最大的短板制约着国产芯片的发展。

刻蚀机实现了5nm工艺，但离子注入仅为28nm，设备全部放在生产线上，那么国产芯片就只能达到28nm工艺。

在NAND Flash芯片领域也是如此，因为缺少先进设备，彭博社报道，长江存储在使用国产半导体设备生产的3D NAND芯片比早期版本少了70层，减少的原因就是使用国产设备导致了制造过程中缺陷增多、良率降低。

长江存储回应称，正在不断提高产品性能，其最新设备中层数的变化与任何特定设备的产量无关。

随着国产设备大规模的应用，设备厂商不仅能更快的发现缺陷和差距，同时也会大幅增加研发费用，从而促进国产半导体设备的更新换代。

可以肯定，未来国产设备制造的3D NAND的缺陷数量会大幅减少，良品率也会快速提升，长江存储也必然会增加3D NAND的层数。

中国的存储芯片也会重新走上“国产替代”的快车道。

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