在美修改规则之后，全球芯片产业链的发展就陷入到了“僵局”，台积电、三星等芯片公司由于无法自由出货，正面临业务上的重大挑战。

国内则开始加快对先进光刻机、先进芯片制造等技术的研发。以摆脱外部供应链造成的影响，独立、自主的生产出，企业发展所必需的芯片产品。

想要生产高端芯片，就离不开EUV光刻机等芯片制造设备。受制于《瓦森纳协定》以及美的影响，高端设备是买不来、求不来、换不来的，想要实现突破就必须依赖于自主研发。

近期，哈工大正式对外界官宣，在芯片制造环节中的关键设备取得突破。这又会给国内带来什么样的转机？

据了解，哈工大对外界公布了有关“高速超精密激光干涉仪”设备的研发成果，该成果可以被用于7nm及以下的芯片制造，确保光刻机工作台、物镜系统之间的相对位置，填补了国内在该领域长期的技术空白。而高速超精密激光干涉仪设备的技术突破，也会推动国产光刻机等芯片制造设备的发展。

首先，高速超精密激光干涉仪，就是为了实现光刻机在光刻过程中，对晶圆、物镜系统、工作台位置的超精准定位。如果没有配套的激光干涉仪，国产光刻机等设备的调试、生产工作就无法进行。可以说，该设备的核心技术突破，也是实现高端光刻机设备国产化的先前条件。

其次，该技术还可以被应用于7nm以下制程，为国内发展先进芯片的制造技术，增加了一定的技术储备，有助于国产7nm制程芯片技术的发展。

此前，ASML首席执行官温宁克就曾表示“限制高端芯片设备的出货，只会加快中国在该领域投入研发，最终，导致中国拥有自己的先进芯片制造设备。”

如今来看，ASML果然没有说错，外部环境持续变差的情况之下，国内在半导体设备中的很多技术领域均已实现突破。前段时间，央媒就报道了国内首条量子芯片生产线，该生产线中就有多台生产设备系国内自主研发。

刚过去没多久，哈工大在先进芯片制造的设备领域，就又实现了一项重大突破。为高端DUV光刻机、EUV光刻机设备的国产化，创造出更好的先前条件。

当初，荷兰ASML当初在研发EUV光刻机时，前后也就使用了60亿欧元的研发经费，机上20年左右的时间。在中国，我们的物理环境是与荷兰一样的，当下还拥有了比之前更加高效的生产工具，更多的资金投入以及完善的人才培养机制。

荷兰前后用了20年的时间，在国内我想用不了那么久，可能再过五年到十年时间。相关芯片制造设备被“卡脖子”的问题，就能够得到彻底解决。

更何况，企业方面还在一直寻找新的出路，比如，华为公布的芯片叠加方案，就可以在不提升芯片制程工艺的情况下，提升芯片性能、降低功耗。中企更是成立了自己的“小芯片联盟”，解决小芯片产品的统一封装问题。

对比之下，美企正在不断丢失市场份额，中企则正逐渐在高端芯片领域做到自给自足。长此以往地进行下去，损失最大的终究还是美企。对此，你又是怎么看的呢？欢迎大家留言、讨论！