高真空磁控溅射仪是用磁控溅射的方法，制备金属、合金、化合物、半导体、陶瓷、介质复合膜及其它化学反应膜等；适用于镀制各种单层膜、多层膜、掺杂膜系及合金膜；可镀制磁性材料和非磁性材料。

设备关键技术特点

秉承设备为工艺实现提供实现手段的理念，我们做了如下设计和工程实现，实际运行效果良好，为用户的专用工艺实现提供了精准的工艺设备方案。

靶材背面和溅射靶表面的结合处理

-靶材和靶面直接做到面接触是很难的，如果做不到面接触，接触电阻将增大，导致离化电场的幅值不够（接触电阻增大，接触面的电场分压增大），导致镀膜效果不好；电阻增大导致靶材发热升温，降低镀膜质量。

-靶材和靶面接触不良，导致水冷效果不好，降低镀膜质量。

-增加一层特殊导电导热的软薄的物质，保证面接触。

距离可调整

基片和靶材之间的距离可调整，以适应不同靶材的成膜工艺的距离要求。

角度可调

磁控溅射靶头可调角度，以便针对不同尺寸基片的均匀性，做精准调控。

集成一体化柜式结构

一体化柜式结构优点：

安全性好（操作者不会触碰到高压部件和旋转部件）

占地面积小，尺寸约为：长1100mm×宽780mm（标准办公室门是800mm宽）（传统设备大约为2200mm×1000mm），相同面积的工作场地，可以放两台设备。

控制系统

采用计算机＋PLC两级控制系统

安全性

-电力系统的检测与保护

-设置真空检测与报警保护功能

-温度检测与报警保护

-冷却循环水系统的压力检测和流量

-检测与报警保护

匀气技术

工艺气体采用匀气技术，气场更均匀，镀膜更均匀。

基片加热技术

采用铠装加热丝，由于通电加热的金属丝不暴露在真空室内，所以高温加热过程中不释放杂质物质，保证薄膜的纯净度。铠装加热丝放入均温器里，保证温常的均匀，然后再对基片加热。

真空度更高、抽速更快

真空室内外，全部电化学抛光，完全去除表面微观毛刺丛林（在显微镜下可见），没有微观藏污纳垢的地方，腔体内表面积减少一倍以上，镀膜更纯净，真空度更高，抽速更快。

设备详情

设备结构及性能

1、单镀膜室、双镀膜室、单镀膜室＋进样室、镀膜室+手套箱

2、磁控溅射靶数量及类型：1 ～ 6 靶，圆形平面靶、矩形靶3、靶的安装位置：由下向上、由上向下、斜向、侧向安装

3、靶的安装位置：由下向上、由上向下、斜向、侧向安装

4、磁控溅射靶：射频、中频、直流脉冲、直流兼容

5、基片可旋转、可加热

6、通入反应气体，可进行反应溅射镀膜7、操作方式：手动、半自动、全自动

工作条件

根据设备规模配置

设备主要技术指标

-基片托架：根据供件大小配置。

-基片加热器温度：根据用户供应要求配置，温度可用电脑编程控制，可控可调。

-基片架公转速度 ：2 ～100 转 / 分钟，可控可调；基片自转速度：2 ～20 转 / 分钟。

-基片架可加热、可旋转、可升降。

-靶面到基片距离： 30 ～ 140mm 可调。

-Φ2 ～Φ3 英寸平面圆形靶 2 ～ 3 支，配气动靶控板，靶可摆头调角度。

-镀膜室的极限真空：6X10^-5Pa，恢复工作背景真空7X10^-4Pa ，30 分钟左右（新设备充干燥氮气）。

-设备总体漏放率：关机 12 小时真空度≤10Pa。

关于鹏城半导体

鹏城半导体技术（深圳）有限公司，由哈尔滨工业大学（深圳）、北京琨腾科技有限公司以及有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿与市场前沿的交叉点，寻求创新引领与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。

公司核心业务是半导体材料、工艺和装备的研发设计、生产制造。

公司人才团队知识结构完整，有以哈工大教授和博士为核心的高水平材料研究和工艺研究团队；还有来自工业界的高级装备设计师团队，他们具有20多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计和生产制造经验。

公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备先进的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司已具有2500多平米洁净厂房，可开展半导体材料和组件的中试、生产，同时可进行半导体装备的生产和调试。

半导体材料事业部、半导体器件事业部、半导体装备事业部。

公司已投放市场的部分半导体设备

磁控溅射镀膜机、电子束镀膜机、热蒸发镀膜机，激光沉积设备PLD、离子束溅射镀膜机、磁控与离子束复合镀膜机

MOCVD、PECVD、LPCVD、微波等离子体CVD、热丝CVD、原子层沉积设备ALD

分子束外延系统（MBE）、激光分子束外延系统（LMBE）

团簇式太阳能薄膜电池中试线、OLED中试设备（G1、G2.5）

金刚石薄膜制备设备、硬质涂层设备、磁性薄膜设备、电极制备设备、合金退火炉

直流溅射电源、RF射频溅射电源、高精度热蒸发电源、高能直流脉冲电源（中频可调脉宽）、控制系统及软件

团队部分业绩分布

完全自主设计制造的分子束外延（MBE）设备，包括自主设计制造的MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、高温束源炉、高温样品台、Rheed原位实时在线监控仪（反射高能电子衍射仪）、直线型电子枪、膜厚仪（可计量外延生长的分子层数）、射频源等关键部件。真空度达到2×10-8Pa。典型用户：浙江大学光学仪器国家重点实验室。

采用磁控溅射与等离子体增强化学气相沉积PECVD技术，设计制造了团簇式太阳能薄膜电池中试线。典型用户：中科院电工所。

采用热丝法，设计制造了金刚石薄膜制备设备，应用于金刚石薄膜材料的研究与生产。典型用户：中国科学院金属研究所。

设计制造了全自动磁控溅射设备，可加水平磁场和垂直磁场，自行设计的真空机械手传递基片。应用于高密度磁记录材料与器件的研究和中试。典型用户：武汉国家光电实验室。

设计制造了科研型的磁控溅射仪，典型用户：南方科技、哈尔滨工业大学、南京大学、浙江大学、南开大学、武汉理工大学。

设计制造了磁控溅射生产型设备，用于半导体器件的生产，典型用户：武汉光迅科技有限公司、深圳彩煌热电技术公司。

设计制造了OLED有机半导体发光材料及器件的研究和中试成套装备。典型用户：香港城市大学先进材料实验室、吉林奥来德光电材料股份有限公司。

设计制造了电子束镀膜机。典型用户：武汉理工大学、南方科技大学、中国计量大学。

设计制造了高真空电阻热蒸发镀膜机、高真空电极制备镀膜机。典型用户：江苏大学、北京大学。

团队在第三代半导体装备及工艺方面的技术积累

2001年与南昌大学合作

设计了中试型的全自动化监控的MOCVD，用于外延GaN和ZnO。

2005年与浙江大学光学仪器国家重点实验室合作

设计制造了第一台完全自主知识产权的分子束外延设备，用于外延光电半导体材料。

2006年与中国科技大学合作

设计设计超高温CVD 和MBE。

用于4H晶型SiC外延生长。

2007年与兰州大学物理学院合作

设计制造了光学级金刚石生长设备（采用热激发技术和CVD技术）。

2015年中科院金属研究所沈阳材料科学国家（联合）实验室合作

制造了金刚石外延设备，制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜。

2017年

-优化Rheed设计，开始生产型MBE设计。

-开始研制PVD方法外延GaN的工艺和装备，目前正在进行设备工艺验证。

2019年

设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备。