美光1γ工艺量产破局DDR5内存性能暴涨15%AMD/Intel验证中

七彩蘑菇汤 2025-03-11 16:08:31

存储行业爆出重大技术突破:美光1γ内存率先杀入验证阶段。这条消息从产业链人士处得到证实,美光已向AMD、Intel等核心客户交付DDR5样品,全球DRAM厂商中首个实现1γ节点量产突破。该事件直接指向一个关键趋势:下一代计算平台的内存性能临界点即将被击穿。

EUV光刻层数成为内存厂商的技术分水岭。美光在1γ节点仅采用单层极紫外光刻工艺,相较三星的5层、SK海力士的多层方案,这种策略直接降低15%工艺复杂度。技术文档显示,减少EUV使用使美光晶圆缺陷率控制在每平方厘米0.03个以下,较行业平均水平优化40%。这种激进的技术路线选择,本质上是为争夺AI PC与服务器市场的产能控制权。

实测数据撕开性能面纱。美光16Gb DDR5内存实现9200MT/s传输速率,较前代提升幅度达15%。功耗测试更出现戏剧性反转:在相同负载下,工作电压从1.1V降至0.9V,整体能耗缩减超两成。更值得注意的是单片晶圆产出密度提升30%,这意味着每片12英寸晶圆可切割出7800颗合格芯片,直接摊薄单位成本17%。

AMD与Intel的验证进度暴露产业博弈。AMD服务器平台负责人证实,其EPYC处理器已完成与1γ内存的物理层兼容测试,信号完整性达到PCIe 6.0标准。Intel则着重强调AI PC端的适配进展:在移动平台模拟测试中,内存子系统功耗降低带来整机续航提升9%。两家巨头的差异化表态,实质映射出数据中心与消费端市场的双重争夺。

产能爬坡时间表暗藏行业洗牌风险。美光计划本季度完成1γ工艺良率爬升,三季度实现每月8万片晶圆产能。这个速度较三星同类技术路线提前两个季度。产业链监测数据显示,美光已向ASML追加订购12台NXE:3600D光刻机,设备交付周期压缩至4个月。这些动作都在预示:2024年第四季度的DRAM市场将出现技术代差引发的价格战。

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