近年来，随着技术的迭代，第六代光刻机——EUV光刻机（极紫外光刻机）的出现，使得芯片制造工艺迈入了7纳米及以下的微米级时代。ASML作为全球EUV光刻机的主导供应商，其技术无疑处于业界的前沿。然而，随着中国在高科技领域的持续投入和自主研发，国产EUV光刻机的研发也取得了显著的进展，尽管与ASML的技术相比，仍存在一定的差距，但一些关键领域的改进和突破，无疑为国内半导体产业的发展注入了新的希望。

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  EUV光刻机的研发挑战主要集中在四个方面：光源的产生、光源的收集、光线的控制以及双工作台的设计。ASML的EUV光刻机采用了高功率激光激发金属锡产生等离子体，进而辐射出极紫外光的光源技术。然而，这种技术的复杂性及高昂的成本，一直是国产光刻机需要突破的瓶颈。