众所周知，美国是全球芯片霸主，所以美国不能眼看着中国芯片产业崛起，摆脱对它的依赖，于是在看到中国芯片产业高速发展后，美国开始对中国芯片产业进行打压。

之前已经有众多的机构分析过了，从禁令来看，美国的目标很明确，就是对三大类型的芯片，进行全面封锁，希望阻碍中国技术突破。

这三大芯片技术，分别是逻辑芯片技术、DRAM内存芯片技术、NAND闪存芯片技术。

因为这三大芯片，占到了全球所有芯片比例的80%以上，只要锁住这三大芯片的先进技术，那么其它的相对就没那么重要了。

在美国的目标里面里面，逻辑芯片技术是想锁住中国停留在14nm，不能再往下突破。而DRAM则是锁在18nm，NAND则锁住在128层。

不过从目前的情况来看，这三大芯片技术，中国已经全面突破了，美国的封锁令，被我们打开了口子。

先说逻辑芯片方面，美国想要锁住在14nm，但我们现在的技术是多少纳米了？虽然没有对外公开，但大家早已认定至少是7nm了，甚至还会更先进。

再看NAND闪存，长存是全球第一家量产232层NAND闪存芯片的厂商，前段时间外媒拆解了最新的长存的NAND，发现其已经高达294层了，有效层也高达232层，明显也是突破了。

再看DRAM内存方面，按照韩媒最近的报道，长鑫更在研发16nm DRAM内存。

而机构TechInsights则表示称，长鑫存储已经完成了16nm制程技术，且用于最新的DDR5内存之中了，同时15nm的DRAM也很快就会到来了，预计会在2025年量产。

可见，这三大芯片技术，我们都实现了突破，虽然较最先进的国际顶尖技术，还有一定的差距，但其实差距真不大了。

而随着国产芯片产能不断扩张，技术不断突破，接下来美国的芯片禁令，估计会慢慢的失去了效果，逐步成为废纸，起不到作用了。

2024年，中国芯片出口金额超过1.1万亿，创造了历史纪录，想必2025年出口会更多，不知道美国看到这些数字，会不会感到害怕？因为芯片霸主地位，越来越难保了啊。