在9月中旬的时候，中国传来了一则重磅消息这则消息的公布引起了欧美广泛的关注，而这则消息的具体表述内容则是，中国实现了国产光刻机的突破，特别是其中的一台光刻机更是引起了剧烈讨论，因为在介绍中显示，这台光刻机其晶圆直径：300mm，照明波长：193nm，分辨率≤65nm，套刻≤8nm。

虽然说，这台光刻机并没有达到世界顶尖水平，但是其精度对于我们来说却是一个很大的突破，要知道再这台光刻机问世之前，我国最高精度的光刻机是90nm 。

这也就是说，我们用了5年时间，将国产光刻机的精度拉到了一个新高度，这和欧美的预料是截然相反的，因为在2020年的时候，欧美认为哪怕是给我们图纸我们都造不出光刻机，现在无疑是打脸了他们，当然，这些对于他们来说都不是最为可怕的，因为最可怕的是，这代表着我国拥有对光刻机的迭代能力，只需要给我们足够的时间，我们将能够生产制造出属于自己的高阶光刻机，届时欧美在半导体领域的最后一道防线将被彻底攻克，欧美对于芯片市场的垄断局面也将彻底被终结。

而就在欧美还没有缓过神的时候，我国再一次宣布了一个重磅消息，据悉，中科大教授孙海定iGaNLab课题组开发了一种具有光能量自监测、自校准、自适应能力的三维垂直集成深紫外发光器件阵列，并将它们成功应用于新型无掩膜深紫外光刻技术中。要知道一直以来，国内外使用的主流光刻机都是有掩膜的，光经过掩膜板上的透明部分 ，将电路图刻画在光刻胶上最终形成电路图案，这个过程成本是很昂贵的，所以业界也一直在致力于开发无掩膜光刻技术，不过这些技术都被欧美日韩垄断。

但是，现在情况却发生了逆转，我国对于无掩膜光刻也探索出了新的解决思路，不可否认这些思路暂时还无法“变现” ，但是，总有一天会在我们需要的时候派上用场，这是一个量变引发质变的过程。对于芯片产业链的突破我们从来都没有幻想过一蹴而就，我们走的一直都是多路并行方案，例如在光源方面，清华、长春光机等机构或者高校都在加码，并取得了非常不错的成绩。

所以说，我们一直都在积累，短期来看我们并没有实现技术上的破局，但是，这就像盖房子，最开始房子是很矮的，可是慢慢不断地增砖添瓦，最终高楼大厦肯定是可以被盖起来的。而面对我国不断传来的突破消息，雷蒙德估计气炸了，因为他们一直的目的就是想要我们放弃对于高科技的研发投入，并且这个目的在 2023年初的时候她也表达过。

可是，现在的情况已经非常明确了，那就是我们一直都有自己的发展路线，我们是不可能按照雷蒙德或者拜登的想法去做的，毕竟我们不是日本更不是韩国，面对外部的压力，我们也绝对不会屈服，华为、大疆都是最好的例子。而对于我们的行动以及最近不断传来的消息，外媒方面也是传来评论表示：这下子美国是真的没有办法阻止中国再芯片技术上的突破了，他们已经做好了万全准备。