光刻机是全球化的产物，ASML集中全球顶级的科技力量，造出高端EUV光刻机，为芯片制造行业铺平道路。不过再高端的光刻机也是商品，ASML却因为受美国规则的影响，不能将EUV光刻机自由出货。

不仅如此，ASML在2021年表示，中国3年内会造出顶级光刻机。两年时间过去了，国产光刻机有何表现呢？

在全球半导体市场中，光刻机是重要的组成部分，如果没有光刻机，便无法造出芯片。根据光源的不同，光刻机分为五种类型，分别是g-lien、i-lien、KrF、ArF、EUV。

制程最高的是EUV光刻机，波长为13.5nm，是生产7nm及以下高端芯片的必要设备。纵观全球，只有荷兰ASML一家公司能生产EUV光刻机，而且每年的产能大约为四五十台。价格昂贵不说，还供不应求。

原本中企也订购了一台EUV光刻机，却受到了美国的阻挠无法安排交付。这并非ASML的本意，否则没有人会和钱过不去。

ASML一直存在一个担忧，那就是无法出货光刻机会导致中国加速自主研发。

就像ASML在2021年表示，不卖光刻机给中国，三年后中国就能造出顶级光刻机。而北大国发院名誉院长林毅夫给出肯定答案，在2021年中国企业未来发展论坛上表示：“短则一两年，长则三五年，有希望突破。”现在两年过去了，国产光刻机表现如何呢？

这就需要观察国产光刻机产业链的进展了。从大的层面来看，上海微电子作为国内唯一的光刻机整机厂商，其量产能力达到了90nm水平，代表性产品为SSA600/200。这属于第四代ArF光源，波长为193nm的步进投影式光刻机。

而浸没步进式光刻机则是上海微电子目前努力的方向，如果成功设计并集成制造的话，那么距离第五代EUV极紫外光源就更进一步了。

不过对于顶级光刻机的定义，还是还得看实际类别。因为光刻机分为前道和后道，前道光刻机主要用于IC制造，负责芯片光刻步骤。运用前道光刻机可以把复杂的芯片图案曝光在晶圆表面。

至于后道光刻机，则负责芯片封装测试环节，保障芯片的良率。

上海微电子最大的产业优势在于后道封测光刻机，国内市场份额高达80%，全球市场份额占比也有40%。就算和ASML竞争封测光刻机，也有一较高下的能力，甚至不落下风。

虽然有一定的成绩，但实事求是，要想达到ASML前道EUV光刻机的水准，依旧任重道远。

另外从光刻机细分技术层面来看，国内研究人员一直在努力着。

比如哈尔滨工业大学发布了一项“高速超精密激光干涉仪”技术，该技术可以让光刻机在运行过程中，提高对晶圆，物镜系统和工作台位置的超精准定位，进一步优化了设备的调试，测量问题。

不过需要注意的是，一项技术的研发突破自然是好事，但有些人偏离了事实，盲目自嗨，导致业内传言这项技术突破解决了7nm光刻机的问题。突破本身是值得高兴的，但也得知道实际的情况。

光刻机组成部分非常复杂，每一项零部件的背后都有可能产生成百上千项专利。一台完整的光刻机，是由上万个零部件组成。而这些零部件的供应商更是花费了十几，二十年的时间精力来打磨。

多的不说，最主要的工作台系统、物镜系统、光学系统、搬运系统、对准标记系统等就足以成为某些人一生的研究目标。所以光刻机是全球化的劳动成果，是人类几十年来的智慧结晶。

想要做到完全国产化是需要持续努力的，而目前取得的技术积累就是在为将来做准备。

ASML担心中国3年造出顶级光刻机，实际来看，确实有一些进展。上海微电子交出了多台先进封测光刻机设备，哈工大研究出“高速超精密激光干涉仪”技术。

面对变幻莫测的半导体行业，唯有坚持目标和方向，才能拨开迷雾。期待国产光刻机能持续进步，取得更多的科研成果。我们不知道国产光刻机能达到怎样的高度，但是这条路会一直走下去。