在芯片这一块，美国想在设计和光刻机，这一软一硬两个方面卡脖子，但是他们万万没想到，这两块对我们的阻挡作用，并没有他们想的那么大。尤其是我们本来是工业大国，理论上设备的突破应该更快，但实际上软件还先突破了。设计这一块，我们把相关的EDA设计与生产所需要的所有工具都进行了国产开发和替代，在架构上买下了永久授权，未来不排除全产业链都用国产体系的系统，架构，指令集，有全产业链优势，无非是一个积累的过程，只是现在还没到那一步而已。而现在，就剩下生产这一块的核心设备，也就是EUV光刻机了。而现在我们公开的信息看，光刻机的突破进展，有可能也比我们想象的还要快。最近长春光机所公开了一批2023年度省级科学技术奖提名项目，这里面有五项是与光刻机的核心光源技术有关，而且是最尖端的EUV光刻机。这是不是冰山一角？这些现在已经可以公开展示的技术，包括哈工大的高速超精密激光干涉仪，这也是已经公开的先进技术，如果这些消息组合起来看，我们在EUV光刻机上的攻关和突破，可能已经是正在进行时。目前有人猜测在三年以后，也就是2026年前后，就会有成果展示。

但是从这次我们的芯片突破来看，效率可能比我们想象的要高，原因就在于两个方面，一个是我们是集中各种力量进行攻关，一个是我们的加班加点，可能也远超想象。这大概就是我们过去常说的，华为的工作效率可能是友商的三倍，友商可能又是国外同行的三倍，以美国所谓的正常眼光和速度进行评估的话，目前的这些突破，可能确实本来应该在十年以后。只是美国没有想到，中国人心里还憋着一口气，就是要争这一口气，所以实际上就不能以常规效率来评判这件事。如果我们对比国家战略，当时提出来要在2025年实现70%的芯片国产化，这里面的重点不是70%国产化，而是2025年，这个时间节点很重要。所以综合各方面的因素来看，我觉得可以大胆预测一下，我们有可能在两年后的2025年，就会在EUV光刻机上，取得实质性的重大突破。这一天并不太远，让我们拭目以待吧。