美方为了限制我国科技领域的发展，可谓是绞尽脑汁。不仅将数百家中企列入实体清单，以此来限制其全球化发展，而且还命令要求只要是想拿美方芯片补贴的企业十年的不能在大陆市场投资先进半导体。

除此之外，美方还对限制EDA软件14nm以下的使用权限。不可否认，尽管美方这几年不断在升级对我国科技领域的打压政策，但是美方的各种手段非但没有使我国的科技水平止步不前，反而在一定程度上刺激了我国科技水平的发展，让我国众多科技企业开始抱团研发。

眼看各种限制手段都没有起到预想中的效果，老美又开始琢磨：想要限制我国半导体领域还是得从根本上入手，那就是限制芯片制造设备——光刻机。于是美方联合了日本、荷兰，进一步对DUV光刻机出口政策进行了收紧。

就拿华为为例，虽然华为是全球首个设计出5nm芯片的企业，但是没有台积电为其代工，中芯购买的EUV光刻机又迟迟不能到货，故而中芯的制造工艺暂时不能满足华为的需求。所以时至今日，华为手机仍然无法搭载麒麟芯片。

综上所述，自主研发国产光刻机已经迫在眉睫。但是光刻机作为精密仪器，自主研发谈何容易。特别是EUV光刻机，其零部件高达10万个，而且全球仅ASML一家能够生产EUV光刻机，可见其研发难度之大。

近日，据媒体消息，被誉为“国防七子”之一的哈工大突破了关键技术。据悉，哈工大在今年4月成功研发出“电能转化等离子体线路”技术，这项技术可以实现DPP-EUV光源。不得不说，哈工大好样的！成功突破了EUV光刻机的核心技术光源子系统。

此前，真空超高精度激光干涉仪技术、精度在控制在0.1nm以内的直线式劳埃透镜镀膜装置、纳米聚焦镀膜装置、双工件台、磁流变和离子束两种超精抛光装备已经被攻克，相信通过我国科技企业/机构的不懈努力，自主研发出EUV光刻机指日可待。

看着中国企业/机构不断传来捷报，外媒直接评论：美方这还限制个啥？确实，美方限制EDA软件14nm一些的使用权限，华为就联合国内厂商自主研发，预计年内将会全面验证。美方限制光刻机，上述企业/机构就一项项突破核心技术。

到头来，美方的限制为了我们研发方向指明了道路，让我们逐步摆脱对美技术的依赖。不知道拜登看着我国的科技水平进步如此迅速，是否会后悔对我国展开各种打压，美方的行为不仅伤害了美方本土企业的利益，而且还硬逼我们开始实现国产化替代。你们对此有什么看法呢？欢迎文末评论、点赞、转发，感谢您的支持！