电子发烧友网报道（文/黄晶晶）据韩媒报道，三星和海力士正在开发低功耗DRAM堆叠技术，以用于移动设备上，这类DRAM被称之为移动HBM存储器，并计划2026年左右实现商业化。

移动HBM是堆叠和连接LPDDR DRAM来增加内存带宽，它与HBM类似，通过将常规DRAM堆叠8层或12层来提高数据吞吐量，并具有低功耗的优势。

以LPDDR为代表的移动DRAM芯片由于其较小的尺寸，并不适用于与HBM相同的TSV连接方案。同时，HBM制造工艺的高成本及低良率特性也无法满足高产能移动DRAM的需求。

报道称，移动HBM技术是堆叠在楼梯中，然后用垂直电线将其连接到基板的方法。三星电子正在开发名为“VCS”的技术，SK海力士正在开发名为“VFO”的技术。以提供更多的IO数据引脚，为性能提升提供有力支持。

三星计划在2025年推出基于 VCS（Vertical Cu Post Stack）垂直互联技术的名为 LP Wide I/O 的新型移动内存，应该就是所谓的移动HBM。根据规划，LP Wide I/O 内存单封装位宽将达到512bit。LPDDR5内存位宽为64bit，是后者的8倍。

三星电子表示，VCS 先进封装技术相较传统引线键合拥有 8 倍和 2.6 倍的 I/O 密度和带宽；相较 VWB 垂直引线键合，VCS 技术的生产效率是前者 9 倍。根据规划，三星的移动HBM将在2025年下半年至2026年实现量产。

SK海力士的VFO技术结合FOWLP（晶圆级封装）和DRAM堆叠两项技术，通过垂直连接大幅缩短电信号在多层DRAM间的传输路径，并同时实现能效的提升。VFO 技术验证样品将导线长度缩短至传统内存的不到 1/4，能效也提升 4.9%。虽然该方案带来了额外 1.4% 的散热量，但封装厚度减少27%。

随着AI应用的普及化，HBM也逐渐从数据中心、服务器市场走向更多领域。此前已有消息指出，HBM应用于智能汽车。SK海力士HBM2E正用于Waymo自动驾驶汽车，汽车对内存的需求正在迅速扩大，当前主要产品是LPDDR4 和LPDDR5。

HBM拥有更紧凑的结构、更高带宽、更快的数据传输速度以及更低的功耗，Waymo自动驾驶汽车使用HBM2E尚属行业首次。目前还未知，特斯拉汽车是否会跟进采用HBM。HBM的应用导入刚开始，未来有望在自动驾驶普及之后成为主流。

HBM应用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑或许将是大势所趋。这些设备的端侧AI的运用同样需要大带宽、高速的存储做为支撑。一旦SK海力士、三星电子在LPDDR的堆叠和芯片封装上取得突破，移动HBM无疑是不错的选择。

另外，报道还称，移动HBM很可能是以定制化的形式生产并提供给智能手机厂商，这会改变以往供应商为中心的模式，转而以需求方为中心。就像此前SK海力士为苹果头戴设备“Vision Pro”供应定制化低功耗DRAM。但具体不清楚各家的定制化有何不同，毕竟移动HBM还处于研发阶段。实际上，HBM用于汽车上面时，SK海力士就是单独生产专门用于汽车用途的HBM2E，这是对特定领域需求的定制化。