英伟达的CEO黄仁勋在接受采访时，抛出了一个有点让人打击的观点，他说，“中国的芯片制造技术虽然在数字上看起来进步了，但实际上，提升的性能并不显著，离国际领先水平，特别是美国，差不多还有十年的差距。”

说到7nm芯片，大家都知道它在半导体领域里是一个大名鼎鼎的存在。7nm就是芯片上晶体管的尺寸达到7纳米，7纳米相当于人类头发丝直径的万分之一！这么小的东西，要把它做出来，难度可想而知。7nm芯片可是半导体工艺的“巅峰”，目前全球顶尖的芯片制造公司台积电、英特尔等，才刚刚在这块儿做出一些成绩。

虽然7nm技术在理论上是半导体行业的“巅峰之作”，但它的生产可不是那么简单的。要做到这一点，需要极其先进的设备，比如EUV光刻机，还需要非常复杂的工艺流程和超高的良品率。所谓良品率，就是最终能出厂的合格芯片占总生产量的比例。如果良品率低，那就是不合格品一大堆，根本无法投入实际应用。华为也曾经声称，自己掌握了7nm技术，大家纷纷为此点赞。可是，问题是，就算华为有了技术，生产出来的芯片在性能和稳定性上，恐怕还不如台积电、英特尔这种行业老大们。我们虽然有了技术，但在实际应用中的效果和巨头们差距依然不小

讲到我国的半导体产业，虽然我们在芯片设计上取得了不小的突破，但在制造环节上仍然有许多技术瓶颈，尤其是在7nm及以下的高端制程领域。目前，我国的中芯国际，在14nm、28nm这些成熟工艺上，已经取得了一定的进展。最为直接的挑战来自国际市场，尤其是美国、日本和荷兰等国家。他们通过技术封锁和出口管制等手段，试图限制我国芯片产业的发展。美国限制我们购买先进的光刻机，导致我们在某些关键设备上始终无法突破。黄仁勋虽然指出了我们的差距，但并没有完全否定我们。在他的言外之意中，其实是存在潜力的，特别是在技术进步的速度上，未来的可能性是非常大的。他甚至提醒西方，不要低估我们赶超的潜力，

这段话给了我们不少信心，回顾过去，我国在存储芯片领域取得的成绩，就像是一部“逆袭”大剧。从最初的依赖进口，到自主研发，到现在已经能生产出世界级的存储芯片，我国在这方面的“崛起”，已经让许多人刮目相看。我们的芯片产业到底能走多远？难道真的是10年的距离？其实，答案并不完全是肯定的。虽然目前技术差距较大，但在中国的创新和发展速度面前，谁又敢断言我们一定会被落在后头呢？只要不断努力，10年的差距，说不定我们真的能缩短成5年，甚至更短。而这场芯片技术的“马拉松”，才刚刚开始。