使用 PMOS 控制大容性负载电路通断时，怎么实现快速关断呢？

常规缓启动电路（在栅源极并入电容实现缓慢开通）在关断时 PMOS 管栅极充电慢，在带载情况下容易损坏器件。

而通过在栅源极间并联 10uF 电容C2实现缓启动，同时加入快速泄放控制回路，在关断时就能快速恢复栅源极电压，从而实现 PMOS 的快速关断。

我们来看它的详细原理，S1未使能时，三极管Q2、Q1的b极无电流，Q2、Q1不导通，此时PMOS管栅极电压、三极管Q5的基极、发射极均为60V，PMOS管不导通；

S1使能时，三极管Q1、Q2导通，此时Q5的基极为0V，发射极为40V，此时PMOS为导通状态。

当S1断开瞬间，三极管基极在R6的作用下快速充电至60V，此时Q5导通，60V直接通过Q5到达PMOS栅极，实现快速泄放，调节 R6 可控制泄放速度。

下图是加入栅极泄放电路的仿真图及栅、漏极电压波形图，绿色为栅极电压波形，红色为漏极电压波形；

下图是未加入（断开 Q5 三极管发射极与 PMOS 栅极连接）的仿真图及波形图，波形颜色含义与上图相同。

仿真结果显示，加入栅极泄放回路后，栅极电压上升时间大幅缩短，表明该电路可实现 PMOS 缓启动电路的栅极快速泄放，加快关断。

但在实际调试中，S1 闭合后Q5 的 E 极电压异常，EB 极压差超额定值；我们可以加入二极管 D1 和电阻 R1，使 Q5 的 E 极在 S1 闭合时能通过 D1 和 R1下拉到GND。

（优化后的电路在 PMOS 管栅极充放电速度上满足需求 ，后续针对锂电池设备应用中静态功耗问题，通过调整电路结构，使 PMOS 作为后端控制开关在未使能时静态损耗降至最低。）