提起EUV光刻机，多数中国人都提不起精神。也正因为缺少这种光刻机，我国的IC制程工艺一直卡在7纳米，难以继续提升。

EUV光刻机

第一代EUV光刻机光源采用的是高功率 MOPA轴流二氧化碳激光器作为打靶光源，简称LPP-EUV光源。例如，ASML现在能够对外供应的EUV光刻机就采用这种激光作为打靶光源。查阅我国相关技术专利发现，我国第一代EUV光刻机同样采用这种技术路线。今年4月13日，中科院官方网站报道中科院院长白春礼调研长春光机所EUV光源的消息，证实我国已经造出第一代EUV光源。

然而谁能想到，我国在EUV领域的布局十分超前。在第一代EUV光刻机还没量产之前，我国就早早开始研制第二代EUV光源了！

2021年3月8日，中国仪器网就曾发布一篇名为《王麒：支持数千瓦极紫外自由电子激光光源及光刻验证装置布局成都科学城并纳入“十四五”规划》的文章。文中提到：“总投资约41亿元，拟通过“数千瓦极紫外自由电子激光光源及光刻验证装置”，建立大功率极紫外光源，通过光刻光源预处理系统及光刻验证系统，验证自由电子激光用于光刻的各种关键物理及工程问题，完成10nm节点光刻演示验证，建立首台千瓦极紫外光刻工程测试样机，为我国掌握大规模极紫外光刻（EUV）生产能力、突破芯片制造“卡脖子”问题提供条件。项目拟于2021年启动建设，2026年底完成验收。”

中国仪器网的报道截图

如今，这个计划已经取得重大进展！

据“东北新闻网报道”，近日，中国科学院大连化学物理研究所大连光源科学研究室与中国科学院高能物理研究所联合，完成了我国首台高品质因数1.3GHz超导加速模组的研制、总装和整体调试，这标志着大连先进光源预研项目研制工作攻克了又一项关键核心技术。

成果鉴定会上，专家组一致认为，项目组在高品质因数1.3GHz超导加速模组研发上取得了重大突破和创新成果，在国际上率先实现了中温退火高品质因数超导腔模组技术路线，具有完全自主知识产权，模组性能处于国际领先水平。

东北新闻网报道截图

不可否认，在EUV光刻机方面，我们已经输在起跑线上，但从目前的进展来看，我们有望笑到最后！如果进展顺利，利用“自由电子激光光源”，我国很可能率先造出首台IF点功率达千瓦级的第二代EUV光刻机！利用这种光刻机，通过多次曝光，我国将有望量产1纳米IC制程工艺，彻底摆脱半导体领域卡脖子难题。