导读：10月16日据ETNews报道，三星电子正式聘请一位总经理并成立了一个特别工作组 (TF)，将进行碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN)两大功率半导体业务的商业化。

图：三星电子新任SiC部门总经理

据业内人士透露，三星电子最近聘请安森美半导体前高管Stephen Hong担任副总裁，负责监督SiC功率半导体业务，并在其器兴园区组建了SiC功率半导体业务特别工作组。

据悉，新任总经理Stephen Hong是功率半导体专家，在加入三星电子之前曾在英飞凌、仙童和安森美半导体等全球主要功率半导体公司工作约25年。离职之前，他在安森美负责智能半导体(PIM)、智能功率模块 (IPM)、复杂半导体器件和SiC等工程应用技术。目前，Stephen Hong正在寻找SiC商业化的团队成员，同时通过与构成韩国国内功率半导体生态系统的工业界和学术界互动来进行市场和商业可行性研究。

图：GaN晶圆

2022年7月，三星电子正式宣布进军GaN功率半导体业务，同时成立了一个特别工作组，这是三星半导体在存储器、晶圆代工和先进封装等领域后的又一大布局。

据悉，为了购买生产GaN功率半导体所必需的金属有机化学气相沉积（MOCVD）设备，三星向德国半导体设备公司Exitron订购了两位数的设备，加快了GaN量产的准备工作。

韩媒报道称，在此之前三星已订购了足够多的设备来进行GaN晶圆试产。未来随着业务的全面开展，设备订单规模预计还会增加。

图：不同材料晶圆尺寸对比

7月份，三星电子宣布将于2025年启动面向消费者、数据中心和汽车应用的8英寸氮化镓（GaN）功率半导体代工服务。年初，三星电子通过新成立的功率半导体部门成功接下英飞凌的电源管理IC订单，取得了在功率半导体代工方面的新突破。

同时据报道，在SiC领域，三星的战略是通过直接采用8英寸晶圆来实现差异化，这与使用4-6英寸晶圆的竞争对手不同。该计划是通过领先一步的技术瞄准市场，占据重要地位。

SiC和GaN都被归类为耐高压和耐高温的下一代半导体（第三代半导体）。根据物理特性，SiC被评估为专门用于电动汽车、储能系统和太阳能的功率半导体材料，而GaN被评估为专门用于充电器、通信设备和服务器的功率半导体材料。

另一位业内人士预测，“由于SiC晶圆比GaN更难实现，缩小与领先企业的技术差距，差异化和适销性将是商业化的关键。”