在经历了热闹的国庆假期后，电子行业也迎来了全新的市场动态。作为科技创新的核心之一，快充技术在这一季度再次呈现出蓬勃发展的势头。各大厂商相继推出了更高效、更智能的快充解决方案，推动了手机、笔记本电脑等消费电子产品的充电体验迈向新台阶。
在2024年第三季度，iPhone16系列手机的推出逐渐成为市场关注的焦点，各大充电方案商对此也推出了多款适配快充方案为其提供极速充电支持，还通过兼容性和集成化设计，进一步优化了用户体验。同时，围绕快充的安全性、效率提升等问题，各类半导体企业也发布了多款创新芯片和解决方案，极大提升了充电系统的整体性能。
本文将总结2024年第三季度的主要快充方案，涵盖了芯片技术的进步、实际应用场景的创新以及行业标准的演进，帮助读者全面了解这一领域的最新趋势和发展方向。
美思半导体 SimpleGaN系列方案SimpleGaN系列采用准谐振（QR）控制模式，搭载了先进的数字控制技术，通过智能化算法可实现在PWM和PFM模式下无缝切换，在不同负载条件下可有效提高系统效率并有效抑制EMI干扰。内置的DSP核心提供极高的运算能力，能够根据负载需求灵活调整系统的开关频率、占空比和原边IPeak电流，实现精准的恒压恒流输出，确保整个电源系统保持最佳的转换效率。
SimpleGaN系列芯片支持多种市面主流快充协议，包括PD3.1、UFCS、QC2.0/3.0/3.0+、MTK-PE+、SFCP以及SCP、AFC和Apple 2.4A等专有协议；内置的VIsync数字校准技术大幅提升了输出电压和电流的精度，并通过Burtst-Sense原边-副边隔离通信技术实现了完全数字化的反馈系统，消除了传统模拟电源设计中所需的反馈补偿网络，不仅有效简化了电路设计，同时提高了系统在各种负载条件下的稳定性，特别适合高效快充的应用场景。
65W全集成方案
30W 超小体积方案
华众芯微24W多口电源方案
充电头网拿到了华众芯微推出的一款5V4.8A开关电源方案，这款电源方案支持90~264Vac电压输入，输出电压固定5V，输出功率为24W。这款电源方案使用华众芯微GP1224Q初级电源芯片搭配使用GP1710同步整流芯片，两颗芯片内部均集成控制器和开关管，外围元件精简。
这款开关电源方案为原边反馈，无需光耦反馈输出电压。初级电源芯片采用QR工作模式，待机功耗低于70mW，满足六级能效标准。这款电源方案设有两个USB-A接口和一个USB-C接口。
一微星单协议单电感2C方案
一微星45W 2C方案使用一颗CV658协议芯片，外围仅需一颗支持12W max的Buck芯片和一颗电感，即可实现2C盲插45W，双插30W+12W输出。
CV658支持OPTO和FB双反馈，在OPTO控制ACDC输出的同时，FB控制Buck输出，一颗芯片即可实现2C的智能识别和功率分配。该方案单插支持双路直通，双插支持高功率直通，极大的提高了效率，可以快速满足整机六级能效要求。
CV658具备双路高精度差分侦测功能，可支持两路独立恒流恒压控制。两个C口均支持小电流设备的侦测，可识别 C to Lighting线材、耳机仓、无线充底座等等设备，端口自动切换休眠和唤醒状态，给用户提供更好的快充体验。
PSV-RDAD-65USB参考设计
Pulsiv OSMIUM技术利用半有源桥来提高效率和空间，通过感应交流电线路电压和频率来调整电容器充电时间，从而让电路在交流零电压交越时不消耗线路电流。这能够实现简单的半有源桥以提高效率，特别是在低压条件下。它对位于下半部分交流转直流桥中的MOSFET进行精细控制，并与高侧二极管结合使用。此设计中的半有源桥在效率、成本和复杂性之间实现了微妙平衡，支持通用输入，并在115V交流电源下将满载效率提升0.7%。
PSV-RDAD-65USB参考设计采用Innoscience的GaN晶体管，通过降低RDSon和寄生电容，减少了反激变换器和同步整流器子系统中的损耗。Innoscience EMEA总经理Denis Marcon表示，GaN技术非常适合提高效率、减少损耗和优化成本，而Pulsiv OSMIUM技术能显著提高整体性能和减少能源浪费，带来额外的好处。两者结合可进一步优化成本和效率。
芯仙65W氮化镓快充方案芯仙推出的多款65W氮化镓快充方案通过采用模块化设计，有效提升了方案的集成度，这些方案都具有优异的的功率密度，能够满足市场对快充产品的需求。小巧便携的外观设计、多接口配置以及出色的性能，充分展现了芯仙在电源方案设计领域的技术优势。这些方案不仅能够帮助快充厂商缩短产品上市周期，还能为iPhone 16等新一代智能设备提供了高效的充电解决方案。
65W 长条 2C1A氮化镓方案
65W 长条 2C1A氮化镓方案
65W 方形 2C1A氮化镓方案
65W 椭圆状 2C1A氮化镓方案
天德钰20W快充方案
这套20W快充DEMO输出采用天德钰JD6610B快充协议芯片，为单芯片设计，外围元件精简。基于JD6610B可设计20W或30W快充产品，此外支持FCP、SCP、AFC、QC3+、PD3.0/QC4+、PPS、DCP等主流充电协议，为产品兼容性和性能提供保证，不仅可以满足苹果iPhone系列机型快充需求，也能满足华为、小米等主流品牌手机日常快充使用。
开关电源采用航天民芯MT6375B+MT6060A电源方案，优秀的EMI表现让方案设计上无需共模电感、安规X电容等器件，另外高集成度也省去了额外功率器件的使用。输出搭配天德钰JD6610B快充协议芯片进行设计，可大大降低工程师设计难度以及系统成本，对于设计时下热门迷你快充机型也更具优势。
iSmartWare智融科技SW1108+SW1608+SW3566+SW3536*2（140W2C2A）第一款140W方案采用SW1108+SW1608+SW3566+SW3536*2的设计，采用2A+2C接口设计，这一方案设计充分利用了各芯片的优势，让整体方案集成度大大提升。
在这一款方案中，SW1108作为集成氮化镓直驱的高频准谐振反激控制器，极大提升了电路的转换效率，同时减少了外部元件的需求。SW1608作为同步整流驱动控制器，专为离线式反激变换器的副边同步整流管驱动设计，从而进一步优化系统的能效。双口充电SOC芯片SW3566和两颗多快充协议芯片SW3536则分别负责控制不同的充电接口，支持多种快充协议，支持USB-A和USB-C的双口快充输出，并且支持独立限流，保障每个接口的充电性能。
经过实测，这款方案的尺寸为67.3*69.4*21.93mm，重量约为144.6g，功率密度达到1.36 W/cm³，具备优异的功率体积比。
SW1108+SW1608+SW2335(140W 单C)第二款140W方案则采用了SW1108+SW1608+SW2335的设计，采用单USB-C口设计。
在第二款140W快充方案中，SW1108作为核心控制器，负责实现高效的准谐振反激转换，优化开关速度，提升电能转换效率。SW1608则驱动副边的同步整流管，降低功耗并提高系统整体效率。SW2335作为快充协议控制器，支持PD3.1等多种快充协议，确保充电的高效兼容。
该方案的实际测量尺寸为69.31*69.38*23.91mm，重量约为123.4g，功率密度约为1.23 W/cm³。通过优化芯片组合和电路设计，该方案在体积小、重量轻的同时，确保了高效的充电性能，适用于多种需要高功率充电的设备，在助力开发大功率小体积充电器方面有很大的优势。
充电头网总结2024年第三季度的结束，快充技术也在不断蓬勃发展。从美思半导体的SimpleGaN系列到Pulsiv与Innoscience合作的65W GaN参考设计，各种创新方案展现了快充领域的技术进步。厂商们不仅在提高充电功率上不断突破，还在提升效率、减少能耗、优化体积等方面做出了卓越贡献。
这段时间，尤其值得注意的是氮化镓（GaN）技术的持续深入应用，其高效率、低损耗的特性为各类快充方案提供了坚实基础。此外，针对市场的需求，集成度高、兼容性强的方案也不断涌现，为多种设备提供了更加智能化的充电体验。
