这款芯片的诞生，是显芯科技及其合作伙伴历经四年不懈努力的结果，它集成了自主研发的RRAM存储模块和画质调节算法，实现了在28nm工艺节点上的高度集成与优化。与业界主流的“TCON +外置FLASH存储器”技术路线相比，显芯科技采用的“数字芯片+内置RRAM”技术路线，显著降低了成本，提升了读取速度，并解决了外置存储器件带来的诸多不便。

RRAM技术的应用，更是这款芯片的亮点之一。作为一种新型非挥发性存储器技术，RRAM以其高密度、低功耗、快速读写速度、耐久性强和非挥发性等特点，在显示技术中展现出了巨大的潜力。显芯科技将RRAM技术成功嵌入到画质调节芯片中，不仅提升了芯片的整体性能，还为实现更高效的画质优化提供了可能。

RRAM技术的几个关键特点包括：

高密度：RRAM单元结构紧凑，可以实现高密度的数据存储，有助于减小芯片和内存的尺寸，提高设备的集成度。

低功耗：与现有的闪存技术相比，RRAM在读写操作中的功耗更低，这对于需要长时间运行或依赖电池供电的设备尤为重要，可以显著延长设备的续航时间。

快速读写速度：RRAM的读写速度非常快，远超过传统的闪存技术，能够显著提升设备的整体性能，特别是在需要高速数据处理的应用场景中。

耐久性强：RRAM的擦写次数远高于闪存，具有更强的耐久性，这意味着RRAM设备的使用寿命更长，数据保持能力更强。

非挥发性：RRAM是一种非挥发性存储器，即使断电也能保持存储的数据不丢失，这与DRAM（动态随机存取存储器）等易失性存储器形成鲜明对比，使得RRAM在需要持久存储数据的场合具有显著优势。

简单的制造工艺：RRAM的制造工艺相对简单，与现有的CMOS工艺兼容，这有助于降低生产成本，提高生产效率。

由于这些优点，RRAM技术在企业存储、物联网、可穿戴计算、安全支付、微控制器以及显示技术等众多领域都有广泛的应用前景。随着技术的不断成熟和成本的进一步降低，RRAM有望成为未来存储器市场的主流技术之一，为各种电子设备提供更加高效、可靠、经济的存储解决方案。在显芯科技的案例中，RRAM技术的成功应用不仅提升了画质调节芯片的性能，还推动了显示类芯片技术的国产化进程，为我国在全球半导体显示领域的竞争中赢得了更多主动权。

此外，这款芯片还具备完全自主知识产权，这是显芯科技在科技创新和国产化道路上不断突破的重要成果。它不仅打破了海外显示技术的垄断，也为我国在全球半导体显示领域的竞争中赢得了更多主动权。

来源：半导体首席 半导体封测

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