近日，ASML总裁富凯接受媒体采访的时候表示:我国光刻机落后10—15年。对于这个评价，国内很多网友都义愤填膺，认为ASML是刻意抹黑国产光刻机。

那么真实的情况是这样的吗？我们简单的分析一下。

ASML是全球第一的光刻机制造商，其研制的EUV光刻机可以大规模量产7nm以下工艺的芯片。台积电、三星就是因为有EUV光刻机才能生产7nm、5nm、3nm芯片，因此ASML的光刻机技术全球第一，这是没有人质疑的。

而ASML已经量产了High NA EUV光刻机，这种光刻机能生产2nm芯片，因此ASML的光刻机技术已经把友商远远甩在背后。

而在浸润式DUV光刻机市场，ASML也生产了全球80%以上的浸润式光刻机。这种光刻机经过多次曝光，也可以量产7nm以下工艺的芯片。因此在浸润式DUV光刻机领域，我们用“遥遥领先”来形容ASML，这也是不为过的。

那么我国的光刻机发展到何种水平呢？和ASML相比有多大差距呢？我们简单的分析一下。

目前国产最先进的光刻机当属上海微电子的600系列光刻机，这种光刻机的分辨率为90nm，光源为248nm，是一款第三代光刻机。

而在今年下半年，中信部公布了一款国产氟化氩光刻机，这种光刻机的光源为193nm，分辨率为65nm，套刻工艺小于等于8nm。按照这个参数，这款光刻机是第四代光刻机，也是一款干式DUV光刻机。

按照中信部公布的信息来看，我国光刻机技术已经达到第四代，进入了DUV光刻机的俱乐部。

不过距离EUV光刻机，我国的干式DUV光刻机还有很长一段路要走，为什么这样说呢？这是因为干式DUV光刻机要突破到浸润式DUV光刻机，这需要解决用水取代空气作为介质问题，而这个问题目前仅有ASML、尼康等少数光刻机厂商能够解决。

就目前我国的光刻机技术来看，解决浸润式介质问题，这里面花费的时间应该在5年以上。只不过我国刚刚进入了干式DUV光刻机阶段，距离浸润式DUV光刻机阶段，这肯定需要缓冲时间的，因此5年时间是非常保守的了。

而我国一旦进入浸润式DUV光刻机后，要想进入EUV光刻机，这里面要花费的时间可能会更长。首先我们要解决的是光源问题，因为EUV光刻机的光源波长是13.5nm，只有浸润式DUV光刻机、干式DUV光刻机的193nm光源波长的1/15。

由此可见，EUV光源的难度是浸润式DUV光源难度的15倍以上，这里面需要花费的时间是一个庞大的数字。正因为如此，强如尼康、佳能这样全球领先的光刻机厂商迟迟无法突破EUV技术，被ASML压的喘不过气。

最为重要的是EUV光源只是解决EUV光刻机技术的第一步，而EUV光刻机的10万个零部件才是最难解决的。要知道这些零部件都是全球顶尖的科技公司生产制造，每一个零部件背后都是全球科技的结晶。

令人遗憾的是我国半导体产业遭受美方打压，因此我们想购买这些零部件几乎是不可能的。换言之，这10万多个零部件需要靠我们自研自产。

整体来看，从浸润式DUV光刻机到EUV光刻机的突破，10年时间是非常保守的了。所以ASML总裁表示我国光刻机落后10—15年，这算不上刻意抹黑，是比较客观的观点。

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