中国第四代半导体取得巨大突破，六方金刚石半导体材料成功合成。

2025年2月12日，国内发布一重磅消息，吉林大学团队携手中山大学团队于《自然·材料》期刊发表重大成果，全球首次成功合成高纯度六方金刚石半导体材料。其击穿场强是硅的33倍，带隙达硅的5.5倍。如此逆天性能，一举刷新半导体材料性能极限。《自然》杂志盛赞其改写功率半导体格局，堪称里程碑式突破。

技术层面，研究团队独辟蹊径，开创"超高压梯度控温"绝技。在约地心压力3倍的30万倍大气压，1600°高温环境下，精准调控石墨层堆叠，让石墨神奇变身六方金刚石，攻克三大世界难关，纯度飙升至99.999%，打破学界六方金刚石难稳定存在定论。

量产成本大降，较传统CVD法锐减70%，单片2英寸晶圆成本从5万降至1.5万。性能卓越，硬度超天然钻石40%达155GPa，真空热稳定性达1100°C。这一成果冲击全球半导体格局，引发中日美"三国杀"。

日本曾垄断90%金刚石衬底技术，如今中国实现全链条自主，令其优势不再。美国2024年禁售MPCVD设备，却倒逼国产设备商四方达突围，达成100%国产化。力量钻石、中兵红箭等企业快马加鞭，预计2026年量产六方金刚石晶圆，抗衡日本2025年投产计划。

展望未来，六方金刚石应用广泛，太空里芯片抗辐射、耐500°C高温，有望将卫星寿命从5年延至50年。核电站中变身"不死芯"，让福岛核废水处理设备10年免维护。量子计算领域，基于NV色心的量子比特相干时间超硅基100倍达10分钟。6G通信时代，作为"心脏"支撑太赫兹传输，理论网速千倍于5G，下载4K电影仅0.1秒。

当然，量产之路挑战重重，面临晶圆尺寸偏小、散热技术待匹配、标准体系缺失三大难题。但中国半导体已凭借六方金刚石突破，从追随迈向定义标准，宣告着一场震撼世界的"换道超车"。