宽带隙材料的研究与发展已历经多年,这些材料展现出的特性令设计工程师们充满期待。相较于传统的硅基器件,宽带隙器件预示着性能的巨大飞跃。它们能够在极端温度下工作,承受更高的功率密度、电压和频率,这些优势使得宽带隙材料在新一代电子系统中备受青睐。
在众多宽带隙材料中,氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)尤为突出,它们不仅在开关应用中展现出巨大潜力,也在射频功率领域中展现出光明的前景。目前,业界对于GaN与SiC这两种材料的比较、它们各自适用的半导体器件,以及它们在不同开关和射频功率应用中的适应性,有着广泛而深入的讨论。
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