ASML高管曾表示:给EUV光刻机的设计图给中国工程师，中企也造不出EUV光刻机。而ASML总裁富凯也在近日表示:中国光刻机落后世界先进水平10-15年。

从ASML的表态可知，大陆EUV光刻机的技术积累远不如ASML，这也是业内的共识。不过三十年河东三十年河西，近日国内研发团队正式宣布EUV新技术。对此，大陆光刻机是势不可挡了。

都知道ASML是光刻机市场的霸主，其生产了全球100%的EUV光刻机，也生产了全球80%的浸润式DUV光刻机。因此在光刻机技术方面，ASML是遥遥领先其他厂商的。

而EUV光刻机是大规模生产7nm以下工艺芯片核心设备，这关乎到芯片的先进程度，因此全球各大芯片代工厂商都大量从ASML采购EUV光刻机。

我国大陆地区的中芯国际在2018年从ASML采购了一台EUV光刻机，但因为美方的打压政策，这台EUV光刻机没有获得出售许可证，最终被ASML限制出口。

而中芯国际因为没有EUV光刻机的帮助，迟迟无法规模化量产7nm以下工艺的芯片，这也导致我国大陆地区对EUV光刻机有迫切的需求。

一方面是我国迫切需要EUV光刻机，一方面是ASML无法向中企出口光刻机，还有一方面是ASML表态我国光刻机落后世界先进水平10-15年。

在这一系列因素的影响下，国产EUV光刻机的自研就显得异常重要，而这也是国内研发团队的重点突破方向。

值得庆幸的是我国光刻机这几年发展有目共睹，2024年9月份的时候中信部公布了一款光源波长193nm、分辨率65nm、套刻≤8nm的氟化氩光刻机。

按照光源波长，这款氟化氩光刻机是一款DUV干式光刻机，是第四代光刻机。对比之前上海微电子600系列的光刻机，65nm分辨率氟化氩光刻机算是巨大突破，这也让我国跻身为DUV光刻机国家。

当然了，我国的这款DUV光刻机只是第四代光刻机，距离第六代的EUV光刻机还有不小的差距。想要从DUV光刻机跃迁至EUV光刻机，我们还需要解决一个关键问题，那就是EUV光源问题。

如果我们解决了13.5nm的EUV光源技术，在现有DUV光刻机的基础上，我们完全有可能研制出我们自己的EUV设备。

而在近日，13.5nm的EUV光源技术得到突破，这令人鼓舞。近日，哈工大全媒体报道，哈工大研发团队研制的“放电等离子体极紫光光刻光源”项目获得了国内大赛一等奖。

这项技术具有能量转换效率高、造价较低、体积较小、技术难度较低等优势，可提供中心波长为13.5nm的极紫外光，能满足极紫外光刻市场对光源的迫切需求。

看到这里，想必大家也知道哈工大研发团队这项技术的意义了，那就是我国大陆地区已经掌握了13.5nm的EUV光源技术，解决了EUV光源的最大难题了。

当然了，解决了EUV光源技术，这并不代表我们就能研制EUV光刻机了。要知道一台EUV光刻机涉及的零部件10万多个，每一个零部件背后都是全球最顶尖的供应商。而EUV光刻机技术种类非常多，EUV光源只是其中最难的一项，完全攻克EUV技术，我们要走的路还很长。

写在最后

虽然我国距离研制EUV光刻机还有很长的一段路要走，但我国在遭受美方打压的情况下实现了DUV光刻机的研制，也攻克了13.5nm的EUV光源技术，这种发展速度全球罕见。正因为如此，有外媒才表示，大陆EUV光刻机发展势不可挡了。