美光今天宣布了第九代NAND闪存技术量产，采用该闪存的美光2650固态硬盘即将出货。围绕这一新产品，有很多数字值得关注：第九代NAND闪存，276层堆叠，3600MT/s接口，读取性能提升99%，写入性能提升88%，存储密度提升73%，空间效率提升28%，实际应用性能提升38%。

在眼花缭乱的数字背后我们发现了一些有趣的现象。首先是第九代NAND的叫法，实际上它是美光推出的第七代3D NAND闪存，为何使用第九代的名称？PCEVA小编认为可能还是有对位三星第九代V-NAND的意图，后者在今年早些时候已经量产，堆叠层数同美光新产品接近。类似于英特尔和AMD在芯片组命名上的数字胜利法，美光没直接叫第十代已经是客气了。

然后再来看3600MT/s闪存接口。为了迎合PCIe 5.0接口提速的需求，闪存正朝着更高接口带宽迈进，三星第九代V-NAND的闪存接口速度为3200MT/s，而美光则提出了3600 MT/s这样的数字。不过首个采用该闪存的美光2650固态硬盘的顺序读取速度仅有7000 MB/s，也就是说闪存接口速度实际只有2400 MT/s。显然，美光重复了上代232层堆叠3D NAND闪存的老路：先画饼，后面慢慢再实现。

至于读取性能提升99%，写入性能提升88%，这些数字源于美光针对SK海力士、Solidigm、铠侠、西数和三星的竞品对照，具体测试方法美光没有在小字中透露。不过小编相信写入性能上的提升是有切实依据的，在今年年初的国际固态电路会议（ISSCC）上美光就介绍了这款2YY层堆叠3D TLC闪存的写入带宽表现：300MB/s。铠侠BiCS6的数据是160MB/s，与之相比美光新闪存差不多就是88%的提升幅度。

存储密度提升73%也是相对未明确的竞品型号而言，Block & Files向美光提问后得到的答案是：相比上一代（232层堆叠）提升44%。空间效率提升28%指的是它采用的11.5 x 13.5毫米封装，相比普通的12 x 18毫米小28%。较小的封装尺寸在E1.S和E3.S规格企业级SSD中有一定优势，而对于M.2规格消费级SSD的影响不是非常明显。

38%的应用性能提升源自PCMark 10存储性能评分，对比美光2650与SK海力士BC901、铠侠BG6、西部数据SN740和三星PM9B1后得出的结论。由于对比的型号都比较老，美光2650的优势有相当一部分来源于主控和固件SLC算法的定向优化，而不全是新闪存的功劳。由于PCMark 10存储测试过程全程跑在SLC缓存内，实际使用性能的提升肯定没有宣传中的数字那么亮眼。

美光在回答Blocks & Files提问时，还出现了顾左右而言他的一幕。Blocks & Files问新闪存使用双堆栈还是三堆栈结构，美光的回答是我们采用了单芯片和六平面结构。在被问到新闪存的芯片面积时，美光回答的是封装后的尺寸。对于官方不打算公布的信息，以这种方式回避也是正常的。