4月27日讯，市场传出武汉光电国家研究中心研发团队正在全力研发“下一代存储芯片”。研发负责人称：正在攻关基于相变存储器的3D XPOINT存储器技术，预计明年能在实验室研发成功。届时，芯片的读写速度将比现在快1000倍，可靠性提高1000倍。目前我国95%的存储器芯片依靠进口，一旦技术产业化成功，将颠覆产业格局，有望实现对英特尔等产业巨头的弯道超车。

最近中兴被美政府禁售芯片一事，一夜之间让半导体产业“缺芯少魂”的尴尬处境，在大众的眼光下暴露得体无完肤。芯片半导体作为国之重器，把握着信息产业发展的命脉，但核心技术却多年来在欧美日韩的限制下匍匐难前，成为大国全面发展的最大隐患。

我们认为，2017年世界半导体市场规模为4086亿美元，集成电路产品市场销售额达到3401亿美元，占全球半导体市场总值的83.2%之多，而存储器电路产品市场销售额为1229.18亿美元，占到全球半导体市场总值的三分之一，庞大的消费级市场，给予了存储器产品行业巨大的发展空间，随着国内存储芯片技术不断的突破，产业升级也将带来进一步的发展机会。

目前存储器主要包括DRAM（内存）、NANDFlash（闪存）以及NORFlash，其中DRAM和NANDFlash约占95%以上存储器市场。我们认为，从最早的台式电脑、个人电脑，到智能手机、平板电脑，再到大数据、云计算 、物联网、5G、AI，存储器的作用至关重要，近年来存储器行业蓬勃发展，去年增速更是超60%，但国内自主生产的 DRAM芯片几近为零。目前行业技术更新速度降低，给予了后进者弯道超车的机会，而在庞大的消费级市场，以及国家大力发展下，在国内已有大规模成熟的芯片制造、封装测试企业，国内DRAM存储器的发展可谓迎来了“天时地利人和”。

在今年2018年1月，由合肥长鑫、长鑫存储、睿力集成共同在合肥成立 5 年规划的DRAM存储器“506项目”，一期总投资 534亿元人民币,为自主发展主流 DRAM存储器 IDM一厂厂房也已在1月建设完成，并开始设备安装；2018年底，第一个中国自主研发的 DRAM 芯片有望在合肥诞生。

目前国内DRAM虽然起步较晚，但发展的势头却十分强劲，下游需求十分旺盛，今年来，内存价格指数（DXI）也是从6000点上涨到如今的30000点。智能手机运行内存也从1G到2G、3G、4G 、6G、8G升级导致移动式DRAM快速需求增长，同时APP应用市场快速发展导致服务器内存需求增长。

展望未来，国内DRAM行业发展将持续景气，国产替代市场持续放量，芯片弯道超车，赶超欧美日韩指日可待