芯东西（公众号：aichip001）编译 | 金碧辉编辑 | 程茜
芯东西4月22日消息，昨日，英特尔18A制程的更多技术细节被曝光，在性能、功耗、面积对比下，Intel 18A在标准Arm核心架构的芯片上，较前代Intel 3，1.1V标准电压下可以实现25%的速度提升，功耗降低36%。即便在0.75V低压场景下，仍能实现18%的性能跃升，同时功耗降低38%。
其性能值（Performance Metric）达到2.53，超越台积电N2制程的2.27。
其在性能（Performance）、功耗（Power）、面积（Area）三大核心指标上的其他完整细节将在2025年6月8日至12日在日本京都公布。
一、Intel 18A制程对比Intel 3：性能提25%、功耗降36%、晶体管密度增28%据英特尔技术白皮书透露，相较上一代Intel 3制程（约3nm），18A制程在相同电压（1.1V）和电路复杂度下，可实现25%的性能提升；针对标准Arm核心子模块，18A制程在同频率同电压条件下功耗降低36%。同时，18A制程在低电压（0.75V）场景下性能提升18%且功耗进一步降低38%。
▲英特尔18A与英特尔3 PPA（功率、性能、面积）比较英特尔18A与Intel 3高密度库、高性能库
此外，18A制程的晶体管密度较Intel 3提升28%，单位面积可集成更多晶体管，为芯片小型化与功能集成提供支撑。
二、集成两项革命性技术，下半年将实现量产据Electropages报道，18A制程将首次集成两项革命性技术：第一项是18A制程全环绕栅极RibbonFET晶体管，18A制程代替传统FinFET结构，通过纳米片堆叠实现对沟道电流的更精准控制，有效降低漏电流并提升开关速度，为1.8nm级线宽提供物理基础。
第二项是PowerVia背面供电网络，将电源传输线路从芯片正面转移至背面，减少电源线对晶体管区域的占用，使芯片正面可部署更多逻辑单元，同时降低电源损耗，实现15%的供电效率提升。
18A制程于2025年4月进入风险试产阶段，计划下半年实现量产。
三、首发落地消费级处理器，后续扩展至数据中心Intel透露，18A制程将首先应用于2025年底投产的消费级处理器（如第15代酷睿），随后扩展至数据中心级至强芯片及神经形态计算芯片。该制程支持多种先进封装技术，包括Foveros 3D堆叠与EMIB嵌入式多芯片互连，可满足AI芯片对高带宽、低延迟的需求。
当前台积电3DFabric（N2）与三星GAA（2nm）制程均处于试产阶段，Intel 18A凭借明确的PPA参数与量产时间表，有望重新争夺高端代工市场份额。据分析机构Gartner报道，英特尔18A制程的功耗优化特性尤其适用于移动终端与边缘计算设备，同时其性能提升将增强该公司在AI推理芯片领域的竞争力。
结语：性能功耗面积三重突破加持，革命性18A制程将首秀英特尔基于其在性能、功耗、面积上的自主突破，首次集成18A制程项革命性技术，使得英特尔能满足AI芯片的需求。这一定程度上标志着英特尔在芯片制造等核心技术上有更佳成效，有望重新争夺高端代工市场份额。
长期来看，随着18A芯片不断明确参数并扩大量产，英特尔可能会依靠RibbonFET和背面供电技术实现制程反超。
来源：TrendForce、Economic Daily News
