CMS8H1215B 核心参数与应用解析
（基于中微半导体高精度SoC架构设计，适配B版本特性优化）
内核架构：RISC内核，支持8MHz/16MHz主频，工作电压范围2.4V-4.5V12。
存储配置：8KB ROM + 344B RAM + 128B EEPROM，满足复杂测量场景数据存储需求1。
封装与温度：QFN32封装，工业级工作温度范围-40℃至85℃12。
双ADC系统：
24位Sigma-Delta ADC：支持2路差分输入，增益范围2-384倍，有效分辨率最高20.0位，集成温度传感器与斩波开关12。
12位SAR ADC：多通道高速采样，前级PGA放大功能提升小信号检测精度，支持12V电池电压直接检测2。
外设集成：
硬件LED驱动（8COM×8SEG），简化人机界面设计1。
1个UART接口 + 2路PWM + 2路定时器，支持多样化控制逻辑12。
医疗健康：直流体脂秤、人体秤等生物阻抗测量设备1。
工业检测：压力变送器、多通道传感器信号采集系统2。
消费电子：低功耗电池供电设备，如智能家居传感器12。
技术首创：国内首款集成双ADC的高精度SoC，单芯片方案降低系统复杂度与成本2。
场景适配：Sigma-Delta ADC与SAR ADC互补设计，兼顾低速高精度与高速多通道需求12。
（注：CMS8H1215B与CMS8H1215C可能在后缀定义（如封装、温度范围或外设配置）存在差异，建议联系原厂获取B版本详细技术文档
