近日，工业和信息化部通过其官方微信公众号“工信微报”发布了《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024年版）》，彰显了国家对于推动国产重大技术装备发展、增强综合国力和保障国家安全的坚定决心。该目录中的亮点之一，便是对国产集成电路设备——特别是光刻机技术的重点关注与推动。

光刻机，作为半导体制造领域的核心设备，其重要性不言而喻。此次目录中提及的氟化氩（ArF）光刻机，标志着我国在高端光刻技术领域取得了新的突破。该光刻机采用193纳米光源，分辨率达到≤65nm，套刻精度更是惊人地≤8nm，这一性能直接指向了先进制造工艺的边界。

值得注意的是，氟化氪（KrF）与氟化氩（ArF）气体均服务于深紫外（DUV）光刻机，是产生深紫外光的关键元素。而ArF准分子激光源光刻机，通过技术创新，实现了光源实际波长从传统的193nm缩短至134nm，结合高数值孔径（NA 1.35）技术，使得该光刻机在理论上能够支持最高达7nm的制程节点，展现了国产光刻机向更高精度迈进的强劲势头。

此外，为了进一步提升光刻精度，目录中还提到了浸入技术的应用。该技术通过在镜头与硅片之间填充高折射率液体，有效缩短了激光的实际波长，为实现更精细的线路图案刻制提供了可能。而该光刻机所达到的套刻精度，则预示着其具备量产28nm及以下工艺芯片的能力，这一里程碑式的成就，意味着中国将在芯片制造领域实现中低端向中高端的跨越，为工业独立奠定坚实基础。

28纳米光刻机的自主生产，不仅是中国半导体产业发展的重要里程碑，更是对西方技术封锁的有力回应。它将助力中国空调、洗衣机、汽车等各类工业品在国际市场上实现更加自主的生产与销售，推动中国制造业迈向新的高度。随着工信部《指导目录》的发布与实施，我们有理由相信，国产光刻机及整个半导体产业链将迎来更加广阔的发展空间与光明前景。