随着国产存储芯片的产能再度扩张，中国存储芯片大举降价抛售，其中DDR4内存短短2个月就降价了四成，16GB的内存条已降价到100多元，显然中国存储芯片已打断了美日韩芯片的联手涨价图谋。

中国存储芯片曾在2022年赶上世界先进水平，随即推动存储芯片大降价，一年时间存储芯片价格腰斩，美光陷入巨亏，韩国的三星利润暴跌九成，可以看出中国存储芯片的突破给他们造成的打击有多大。

随后美国联手日本和荷兰阻止对中国存储芯片供应先进芯片设备，甚至就连已在生产线上的设备也不许进行维修，让中国存储芯片企业大为光火，愤怒喊出世界上从没有企业对自己已卖出的设备不提供售后服务的，由此导致中国存储芯片的研发陷入停滞。

不过存储芯片与逻辑芯片需要先进工艺不一样，内存如今最先进的工艺也在10纳米以上，19纳米工艺生产的DDR内存就是先进技术了，因为存储芯片需要确保耐用性和可靠性，无法大举缩减“线宽”，因此国产设备可以实现替代。

经过一年多时间，中国存储芯片以国产芯片设备替代取得了进展，存储芯片实现国产化，存储芯片的产能得到提升，今年下半年以来，中国存储芯片再次发起价格攻势，仅仅数个月DDR4内存就降价四成，其他存储芯片价格也在下滑。

面对中国存储芯片的降价，美日韩存储芯片当时还可以淡定，毕竟他们的HBM存储芯片和DDR5内存芯片方面仍然占有技术优势。

HBM存储芯片技术标准由AI芯片龙头NVIDIA和美日韩的存储芯片联合制定，这方面暂时还无法突破，毕竟这已不仅是技术问题。

DDR5内存则在近期由外媒证明中国存储芯片已实现规模量产，韩国媒体ZDNet Korea报道指它得到可靠的消息，中国的模组厂商已开始采用国产的DDR5颗粒生产内存，证明中国存储芯片已开始给内存厂商供应DDR5颗粒。

中国存储芯片行业开始大举量产DDR5内存，对美日韩存储芯片企业来说将是又一个重大的冲击，毕竟如今DDR内存和NAND flash芯片仍然是他们的大部分收入来源，HBM芯片虽然增长迅速但是增速正在放缓，并且韩国三星在HBM芯片市场急起直追，三星因此可能在HBM芯片市场与SK海力士陷入内讧，也会推动HBM芯片降价。

如此一来从2023年下半年以来持续涨价的存储芯片价格将再度全面下跌，这次的涨价被认为有美日韩存储芯片联手操纵的嫌疑，毕竟他们此前就曾有过类似做法，如此重演操纵价格的前例是有很大可能性的。

中国芯片在存储芯片方面的进展，证明了国产芯片在推进国产芯片设备发展方面确实取得了进展，近几年国产芯片设备企业也处于高速增长中，中国最大的芯片设备厂商已成为全球第六大芯片设备商，收入的大幅增长可以大举增加研发投入，也有助于提升芯片设备技术水平，中国芯片行业的长足进展让外媒侧目。