近日，彭博社记者称：美国正在考虑采取更严格的措施，对日本和荷兰等国的公司施加压力，限制其与中国的芯片贸易。
这表明美国在打压中国芯片产业上，不遗余力，除了自己亲自上手外，还要求他国也加入这一行动中。这个他国正是半导体设备大国日本、荷兰。
美、日、荷把控着全球91%的半导体设备
半导体设备主要用于各类芯片的制造，是芯片工业必不可少的核心设备，包括：光刻机、刻蚀机、沉积设备、清洗设备、化学机械抛光设备等等。
生产高性能芯片需要高端半导体设备，设备的性能和精度直接影响芯片的性能和可靠性，这足见半导体设备在整个芯片制造中的重要性。
但是，如此重要的设备基本都掌握在美、日、荷三国手中，根据相关数据，全球半导体设备市场份额上，美国占据41.7%，日本占据31.1%，荷兰占据18.8%，三者合计把控了91.6%的市场份额。
全世界大大小小的芯片制造厂商无一例外，都采用了这三个国家的设备，包括英特尔、台积电、三星、SK海力士、中芯国际、长江存储。
具体到设备公司，美国应用材料（AMAT）、荷兰ASML、日本东京电子（TEL）是妥妥的半导体设备三强，甚至前20名半导体设备厂商中，中国只有两家ASMPT排在第15位，北方华创排在第18位。（2021年排名）
排在第一位的美国应用材料营收高达230亿美元，荷兰ASML紧随其后营收为211亿美元，第三位为日本的东京电子，营收171亿美元，第四位Lam Rcsarch营收达到了165亿美元。
内地的北方华创仅为10亿美元，连“四强”的零头都不够。
到了2023年3季度，半导体设备厂商的排名有了变化，前四名依次为ASML、应用材料、泛林集团、东京电子，但这四家公司都是美、日、荷三国的。
也就是说，整个半导体设备市场依然被这三个国家把控着。
2022年、2023年，美、日、荷三国先后发布了半导体设备出口限制措施，该措施包括EUV设备、先进的DUV设备以及存储芯片技术。
具体到时间节点上，美国的政策实施时间是2022年8月9日，《芯片与科学法案》签署的日期。日本宣布的时间为2023年5月23日，荷兰宣布时间为2023年6月30日。
可以看出，这三个国家已经达成了某种协议，组成了所谓的“半导体设备联盟”。
尽管日本、荷兰明确表示“不针对任何国家”，但是明眼人一看就知道是“针对中国”。
所以当彭博社记者针对“美向日、荷施压限制中国芯片”，中国如何应对时。我方表示坚决抵制胁迫，共同维护公平开放的国际经贸秩序，同时称这一做法不利于任何一方。
中国芯片制造企业面临巨大压力因为半导体设备问题，国内芯片制造企业正面临着生产线无法扩建、新工艺无法升级的难题。
长江存储是我国NAND 闪存芯片的龙头企业，制造工艺一度逆袭了三星、美光，市场份额也提升至4%。
但随着半导体设备的缺失，128层以上的NAND芯片生产线出现了问题，原有的扩产计划受到了限制，原计划在武汉投产晶圆厂被迫推迟。
甚至在2023年，长江存储还进行了一轮裁员，裁员比例为10%。
长江存储董事长陈南翔气愤的称：依法合规买回来的设备连零件也拿不到，如果要公平、诚信，就应该在新的条件下把设备回购。
无独有偶，国内芯片代工龙头企业中芯国际也面临着半导体设备问题，因为没有先进的EUV光刻机，所以中芯国际始终无法实现5nm芯片的量产。
这一点可以在中芯国际CEO梁孟松的公开信中证实。
梁孟松称：目前，28nm、14nm、12nm及n+1技术均已实现规模量产，7nm技术开发完毕，明年（2021年）实施规模量产，5nm、3nm最为核心的8项技术有序开展，只待EUV光刻机。
如果，中芯国际也拥有数十台EUV光刻机的话，我相信中芯国际也实现了3nm工艺量产了，国产手机SoC、AI芯片完全可以和苹果A17仿生芯片、英伟达H100对标。
但现实是，中芯国际连新建的成熟工艺晶圆厂，也因为设备不到位，被迫推迟量产。
我们的芯片龙头企业尚且如此，其他的芯片企业有多难，可想而知。
要摆脱这种局面，唯有自主研发，打造自己的半导体设备，彻底摆脱“卡脖子”。
国产半导体设备正在积极推进半导体设备有九大核心设备，依次是：光刻机、蚀刻机、离子注入机、CVD、PVD、机械化学抛光机、金属蒸发设备、清洗设备、检测设备。
这些设备我们基本都能制造，但是工艺和精密度落后很多。
清洗设备基本上实现了替代。
蚀刻机达到了5nm水平，实现了30%的替代率代表公司有中微半导体和北方华创，但是在128层NAND闪存上依然无法替代美国的泛林集团。
离子注入机实现了28nm工艺全覆盖、CVD、PVD、机械化学抛光机仅能实现10%—15%的替代，而且是中低端领域。
最为核心的光刻机差距是最大的，国产光刻机实现商用的是上海微电子的S600系列，精确度为90nm，而ASML的最新的High NA EUV光刻机，精确度达到了12.5nm。
ASML称，这款最新的光刻机可以制造2nm、甚至1nm以下的芯片。说实话，3nm、2nm、1nm这些工艺制程的确是吹牛了，但是我们也要正视自己的差距。
国产光刻机能够在近期实现的就是28nm光刻机，主要用于制造28nm、14nm以上的芯片。
它的核心零部件均由国内企业制造。
光源：由北京科益虹源打造，以ArF准分子激光器为基础，通过非线性晶体、放大器功能，实现193nm光源。
光学镜片：由中科院长春光机所制造，工可满足28nm光刻的需求。
浸没系统：由浙江启尔机电负责，温度误差达到了0.001度，符合国际先进水准，满足28nm光刻的需求。
双工作台：由清华大学和华卓精科共同打造，可满足28nm浸没式光刻机的需求。
此外，国产EUV光刻机也在加快研发，极紫外光源、光学镜头等核心部件正在攻关当中，长春光机所取得了长足的进步。
ASML总裁气急败坏的说：中国独立研发光刻机是破坏全球产业链。
中国的半导体设备正在快速的进步，这种速度一方面是我们加大了研发力度，付出了太多的努力；另一方面也得益于海外的封锁限制，让我们不再幻想海外技术和设备，一心一意搞自研。
美国向日本、荷兰企业施压，企图限制中国芯片的发展，反而能激发我们自主研发的潜能，美国的做法最终会帮其石头砸自己的脚。
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