美光推出了基于G9架构的全球首款UFS 4.1和UFS 3.1芯片，将有助于提升移动设备上的人工智能功能。
这些新芯片将在美光1y LPDDR5X RAM发布后不久出现在旗舰智能手机中，预计将于2026年初推出。
基于G9工艺技术的UFS 4.1和UFS 3.1内存芯片不仅提高了功率效率，还提升了读写速度。
它们将提供从256GB到1TB的容量，适用于超薄和灵活的智能手机。
除了硬件上的提升，美光还通过软件优化来增强性能，并在执行AI任务时改善用户体验。
例如，UFS 4.1存储支持Zoned UFS，这能提高读写效率并减少内存单元的“磨损”。
数据碎片整理技术使驱动器内数据的移动和碎片整理效率提高了60%。
