文丨侠说科技

6月19日，科技圈掀起波澜。知名分析师郭明錤在社交媒体上披露，高通将独揽三星Galaxy S25系列的SoC供应大权。这一转变源于三星自家Exynos 2500芯片的尴尬境地——良率远未达到预期，导致无法如期供货。

这一消息与韩媒DealSite此前的爆料不谋而合，揭露了三星3nm生产工艺的困境。三星曾不惜“透支未来”投资3nm工艺，却在Exynos 2500上遭遇滑铁卢。据估算，三星在3nm项目上投入巨大，高达1160亿美元（约为8420亿元），但如今却面临自家旗舰芯片被竞争对手独供的尴尬局面，这无疑是对三星半导体业务的巨大打击。

业界专家纷纷猜测，此次事件可能引发一系列连锁反应。三星的半导体帝国地位或将动摇，而高通则借此机会进一步巩固其在移动芯片市场的领导地位。此外，这场风波还可能引发行业内对先进工艺制程的重新评估，以及对投资风险的深度思考。科技江湖，风起云涌，三星与高通之间的这场博弈，将如何影响未来的科技格局，值得每一个关注者深思。

在全球消费电子的舞台上，三星的DS（半导体解决方案）部门一直备受瞩目。各大厂商对三星DS部门的期待，如同夜空中闪烁的繁星，希望它能照亮整个半导体行业的未来。这种期待并非空穴来风，而是源于三星在半导体领域的独特地位。

三星，作为全球少数几家拥有先进制程技术的晶圆代工厂之一，其DS部门承载着无数厂商的希望。在这个技术日新月异的时代，能够拥有自主生产先进芯片的能力，无疑是企业竞争力的关键。而三星，正是这个关键中的关键。

然而，随着半导体行业的不断发展，竞争也愈发激烈。台积电，作为业界的佼佼者，近年来一直饱受争议。其高昂的代工费用和产能分配问题，让不少芯片设计厂商感到压力山大。在这样的背景下，三星DS部门成为了他们眼中的救命稻草。

在英伟达GTX 40系列显卡的发售仪式上，英伟达CEO黄仁勋曾公开表达过对芯片代工行业的不满。他的话语虽然含蓄，但其中的指向却十分明确——高昂的代工费用已经让芯片设计厂商们不堪重负。而在这个问题上，三星DS部门曾给出了一个相对合理的答案。

据一位曾接触过台积电与三星DS部门的国内芯片IP厂商负责人透露，三星在8nm LPP工艺的代工费用上，相较于台积电的7nm工艺，有着显著的优势。这一优势不仅体现在价格上，更体现在实际应用中。

尽管三星的晶体管密度稍逊于台积电，但其出色的功耗设计使得其在实际应用中并不逊色于后者。然而，三星DS部门的挑战也并非没有。在代工价格上，虽然相较于台积电有着一定的优势，但要想在激烈的市场竞争中脱颖而出，还需要更多的努力。

同时，随着半导体行业的不断发展，技术更新换代的速度也越来越快。如何在保证产品质量的同时，不断提升技术水平，是三星DS部门需要面对的重要问题。此外，三星在AI领域的布局也备受关注。

在今年的CES大会上，三星喊出了“AI for ALL”的口号，并将其作为未来发展的核心战略。然而，在现实中，三星DS部门在存储器件上尚未通过英伟达HBM3e的认证工作，这无疑给其在高性能计算领域的发展带来了不小的挑战。而在芯片代工业务上，三星也面临着无法满足自家芯片设计团队需求的困境。

在半导体工艺的竞赛场上，三星与台积电之间的较量从未停歇。而这一次，三星在3nm工艺制程上的布局，犹如一场惊心动魄的豪赌。早在2017年，当业界还在为5nm工艺制程的突破而欢呼时，三星已经悄然将目光投向了更为前沿的3nm技术。

短短几年间，三星如同一位技艺高超的舞者，在科技舞台上轻盈地旋转，展现出其卓越的研发实力。2021年，当三星宣布3nm节点成功流片时，业界为之震惊。而仅仅半年之后，三星便再次宣布这一节点已进入量产阶段，这一速度之快，令人咋舌。

然而，这背后却是三星对GAA架构的坚定选择。GAA，这个听起来有些神秘的名词，实际上是三星为了突破传统工艺瓶颈而采取的一项大胆创新。它摒弃了传统的平面架构和FinFET架构，将电流通道从垂直改为水平，实现了晶体管内部四面环绕栅极的设计。

这一变革不仅降低了电流损耗，更带来了性能与功耗的双重提升。然而，这场豪赌并非没有风险。GAA架构的复杂性使得整个芯片产业链都面临着巨大的挑战。三星作为目前唯一研发GAA架构的厂商，需要独自面对与EDA软件厂商协同作战的难题。

在FinFET架构被发明后，业界用了十余年的时间才与之配套的成熟EDA软件。而GAA架构的推广，无疑需要更长的时间与更多的努力，而三星则并未如愿以偿。尽管其3nm工艺制程的量产速度令人瞩目，但产品良率的问题却如同一块绊脚石，让三星陷入了尴尬的境地。

反观台积电，台积电凭借稳定的FinFET架构和来自英伟达、苹果、英特尔等巨头的订单，实现了3nm制程工厂的产能利用率超过100%的壮举。然而，三星并未因此放弃。在最近举办的“晶圆代工论坛”上，三星公布了最新的代工工艺路线图。

按照计划，三星DS部门将在2027年完成SF2Z（2nm）工艺的量产工作。这一次，三星再次展现出了其对于创新技术的执着追求。据悉，SF2Z工艺将采用背面供电网络技术，这一技术将进一步提升芯片的性能与功耗比。虽然目前关于这一技术的具体细节尚不得而知，但我们可以想象到，在未来的科技舞台上，三星将继续以其独特的舞姿，引领着半导体工艺的发展潮流。