点赞,关注,转发,数码领域你不迷路!据韩媒Sedaily的报道,三星正在以大步迈进的方式推进2纳米工艺的研发,他们已经开始与高通和S三星的LSI部门讨论生产原型产品,这意味着一款尚未命名的Exynos芯片可能正在处于早期测试阶段。
消息称三星的晶圆代工厂正在研发一种非常先进的SF2 GAAFET工艺,他们希望在未来的2纳米节点领域击败竞争对手。最新的报道显示,Samsung已经与Qualcomm深化合作关系,高通将使用三星代工厂最新的全栅极(GAA)工艺技术,优化和开发下一代ARM Cortex-X CPU。三星公司有可能正在评估2纳米SF2 GAAFET工艺,以在遥远的骁龙 8 Gen 5芯片组中使用,而三星 LSI则可能正在开发2纳米的“Exynos 2600”系统芯片设计。
之前有消息称,三星正在开发配备10核CPU集群的Exynos 2500芯片组,它将直接取代Exynos 2400,但不太可能使用2纳米工艺进行量产,因为这种光刻技术预计要到2026年才会投入使用。
根据ETNews的报道,高通公司已要求三星和TSMC提供2纳米样品,但这项技术可能会用于未来的骁龙 8 Gen 5芯片组,而不是即将推出的骁龙 8 Gen 4。就进展而言,三星在2纳米工艺的竞争中领先于TSMC,据说他们获得了第一个客户——一家名为Preferred Networks (PFN)的日本初创公司。报道还称,三星通过加强自家的Exynos芯片来减少对高通 骁龙芯片的依赖,其中一个重要原因是高通公司不断提高高端SoC的定价。Samsung希望通过2纳米工艺进一步降低对高通的依赖,这样他们就能够在市场竞争中占据更有利的位置。