电子发烧友网报道（文/章鹰）4月15日到17日，在慕尼黑上海电子展上，功率器件大厂英诺赛科带来了数字能源、消费电子、汽车电子、机器人领域最新的氮化镓器件方案。

图：英诺赛科展台新品和氮化镓晶圆 电子发烧友拍摄

“与硅基器件相比，氮化镓的功率密度可达 30W/mm，是硅的150倍，开关频率提升 10 倍以上，可使电源适配器体积缩小 60%。” 西安电子科技大学广州研究院教授弓小武对媒体表示。当前，GaN作为一种性能优异的宽禁带半导体材料，近年来在功率半导体市场备受关注，从消费电子快充领域崛起，到如今的AI服务器、人形机器人等新兴市场应用，氮化镓器件正在显示强大的发展潜力。

英诺赛科现场展示的8英寸氮化镓晶圆，其单颗芯片成本较传统6英寸方案降低30%，以折算氮化镓分立器件计算，产品累计出货量达到8.5亿颗，晶圆良率达到95%，超越同行。

随着 AI 服务器的市场规模不断扩大，其核心处理器，包括 CPU、GPU、NPU、ASIC、FPGA等，以及内存、网络通信等芯片元器件的性能和功耗水平都在提升。通用服务器原来只需要2颗800W服务器电源，但是AI服务器需求提升为4颗1800W高功率电源。

由于服务器CPU/GPU的功率需求不断攀升，传统的12V供电架构已无法满足高效传输的需求，48V供电系统逐渐成为主流。值得关注的是，由于服务器内部空间有限，高功率密度的电源设计成为关键。

图：INN100EA035A 电子发烧友拍摄

英诺赛科推出100V增强型GaN功率器件INN100EA035A，采用双面散热封装，显著提升功率密度和效率，适用于AI服务器和48V基础设施的高效能源转换。该器件在48V/25A条件下稳态损耗减少35%以上，系统级效率可达98%。

图：氮化镓服务器电源解决方案 电子发烧友拍摄

英诺赛科SVP产品负责人孙毅表示：“服务器电源的功率等级已从800W提升到1.3kW，甚至4kW，因此对功率密度以及效率提出了非常高的要求。氮化镓的开通与关断损耗与碳化硅、硅器件相比下降了50%以上，并且没有反向恢复损耗，可以轻松满足钛金级效率需求。”

在慕尼黑上海电子展上，针对数据中心的前端输入侧——服务器电源PSU （PFC/LLC）1kW-4kW AC/DC环节，英诺赛科带来多款氮化镓服务器电源解决方案，分别是1KW 48V-12V LLC、3.6KW CCM TTP PFC，4.2KW PSU案例。此前，英诺赛科推出2KW PSU参考设计，采用图腾柱无桥PFC+LLC结构，效率高达96.5%，体积仅为185*65*35(mm³)，完美符合 80 Plus 钛金级能效。

本次慕展展示的4.2KW PSU参考设计，采用图腾柱无桥PFC+LLC结构，效率高达96.8%，体积仅为185*659*37(mm³)，适合数据中心、通信PSU和服务器电源的能效要求。据悉，英诺赛科的氮化镓服务器电源解决方案已经进入长城、浪潮等大厂的供应链。

英诺赛科2024年财报显示，在新能源汽车和AI及数据中心两大领域中，公司高歌猛进，分别实现车规芯片交付数量同比增长986.7%、AI及数据中心芯片交付量同比增长669.8%的迅猛增长。