中国高端制造再传捷报！据哈尔滨工业大学消息，该校航天学院赵永蓬教授团队研发的放电等离子体极紫外（EUV）光刻光源，凭借颠覆性技术成果，荣获2024黑龙江省高校和科研院所职工科技创新成果转化大赛一等奖。这一技术的突破，不仅绕过了ASML的技术壁垒，更为我国高端芯片制造的未来提供了全新可能。

当前，EUV光刻技术是先进芯片制造的核心，而ASML的EUV光刻机技术路线依赖于激光轰击锡液滴产生等离子体，这一过程涉及高能激光器组件和复杂的FPGA芯片控制，核心技术长期被国外垄断。

赵永蓬教授团队另辟蹊径，研发出基于电能的等离子体光源技术，直接利用电能生成等离子体，产生13.5nm极紫外光。相比传统技术，哈工大的方案具备以下优势：

1. 能耗更低：省去了激光生成环节，极大地降低了能源消耗。

2. 设备更便宜：减少了对高精密激光器和进口FPGA芯片的依赖，降低生产成本。

3. 绕开技术壁垒：无需依赖国外关键组件，自主性更强，解决了我国高端芯片制造中的“卡脖子”问题。

极紫外光刻光源是EUV光刻机的核心部件之一，占据整机成本的重要比例。哈工大的创新技术，不仅能够满足EUV光刻市场对高性能光源的迫切需求，还为我国在高端制造领域实现技术自主奠定了重要基础。

这一突破，或将推动国产EUV光刻机加速研发和产业化进程，为我国半导体产业链迈向更高层次提供强劲助力。

业内专家指出，EUV光刻机是芯片制造中的“皇冠明珠”，而光源技术的突破是皇冠上的宝石。哈工大的方案，虽距离全面产业化仍需技术优化，但已证明中国科研力量在国际尖端领域具备强大竞争力。

消息发布后，迅速引发网友热议：

• “这是高端制造的硬核实力！”

• “关键技术突破才是真正的科技强国之路。”

• “期待国产EUV光刻机早日面世！”

哈工大团队的技术突破是否能加速国产光刻机的崛起？你对中国高端芯片制造的未来有什么期待？欢迎在评论区分享你的看法，并点击关注，获取更多科技前沿资讯！