印度的半导体使命是将该国转变为全球芯片制造中心，目前正处于关键时刻。虽然硅长期以来一直是半导体行业的支柱，但碳化硅（SiC）作为下一代材料的出现印度提供了一个开拓高价值利基市场的独特机会。

英飞凌的马来西亚工厂正式投产，有望助力公司达成其雄心勃勃的目标：在2030年前占据全球碳化硅市场30%的份额。

据最新报道，英飞凌居林工厂的第三厂区正在扩建中，已经获得了价值50亿欧元的设计订单，并且收到了10亿欧元的客户预付款。这表明英飞凌在碳化硅和氮化镓技术领域正不断巩固其领先地位。

同时，行业内其他竞争者也在积极采取措施扩大生产能力和加强供应链合作。例如，Wolfspeed的Building 10 Materials工厂已经达到了8英寸晶圆的生产目标，预计到2024年底，其莫霍克谷SiC晶圆厂的开工利用率将提升至25%。

意法半导体在全球SiC MOSFET市场份额超过50%，并计划在未来三年内专注于三个关键领域的发展：升级至8英寸晶圆生产线，实施SiC供应链的垂直整合策略，并与Soitec合作采用SmartSiC技术。此外，意法半导体与吉利汽车集团签署了长期供应协议，进一步加深了双方在碳化硅器件领域的合作。

罗姆设定了在2025年实现超过1100亿日元的SiC销售额目标，并计划在2024至2026年间开拓近9000亿日元的市场。为实现此目标，罗姆计划在2021至2025年五年间对SiC领域投资1700至2200亿日元。

安森美也在积极提升SiC产能，计划通过一项高达20亿美元的多年期投资来扩大生产。通过扩建捷克工厂，安森美希望到2027年能够占据全球汽车SiC芯片市场40%的份额。此外，安森美在韩国富川的先进SiC超大型制造工厂扩建工程已于2023年10月完工，预计全负荷生产时，该厂每年将能生产超过一百万片8英寸SiC晶圆。

国内外企业均在积极布局碳化硅市场，不仅国际巨头在积极扩展，国内企业也在努力提升产能和产品价值，以国产替代来争夺市场份额。

2021至2023年间，中国碳化硅产业在新能源市场的推动下迎来了繁荣，彼时大量新玩家涌现，产能迅速扩张。然而，尽管下游市场如电动汽车持续增长，其订单量仍不足以消化产能，导致国内碳化硅产品价格迅速下降，部分产品降价超过50%。

产品价格走低，但碳化硅器件的成本却降不下来。国内碳化硅企业在衬底和外延方面的成本过高，已经占据了整个器件成本的70%，而器件设计、制造、封测等环节仅占30%。同一级别下SiC MOSFET的价格比硅基IGBT高4倍，高昂的成本限制了SiC MOSFET的应用。

除了产能过剩与高昂成本，国内碳化硅企业还要面临愈演愈烈的市场竞争。

国际大厂如意法半导体、英飞凌等占据主要市场份额，同时碳化硅还需与硅基、氮化镓等半导体材料竞争市场份额。国内碳化硅相关厂家数量已超过百家，市场竞争愈发激烈。

此外，国产碳化硅企业遭遇的困境还包括，融资难度增加、资本市场向头部集中、中小企业融资困难等。

对此，碳化硅行业壁垒高、投入高，且市场开拓周期长，小规模的企业无法进行长期的市场开拓，难以获得客户认可，导致未来发展道路充满不确定性，资金实力不足的企业可能会逐渐退出市场。

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