中国逻辑芯片、NAND闪存,DRAM内存,全部突破美国封锁层

互联网乱侃秀 2024-12-23 14:54:43

众所周知,美国打压中国芯片产业,是有明确目标的。

一是锁死逻辑芯片在14nm,二是锁死NAND闪存在128层,三是锁死DRAM内存在18nm,不允许中国的技术进入美国的封锁层之下。

为此,美国更是联合日本、荷兰等,对先进的半导体设备进行封锁,任何可以制造封锁层下面的设备,都禁运……

不过,从现在的情况来看,美国设的这个封锁,全部被中国突破了。

先说逻辑芯片方面,美国是想要锁死在14nm工艺,但实际上呢,早就突破了。

具体的东西不太好细说,毕竟中芯国际下线了关于14nm FinFET技术的介绍,但大家想一想麒麟900S、麒麟9010、麒麟9020这三颗芯片,就明白我们绝不可能是14nm,具体是多少,大家应该心中有数吧,肯定是低于14nm的……

再看NAND闪存芯片,也就是大家熟悉的,用于SSD硬盘产品的芯片,美国的目标是锁死我们在128层,不再前进。

长存早在2022年就量产了232层的NAND芯片,并且是全球第一家量产232层NAND芯片的厂商,后来美国打压长存。

但据媒体的消息,目前长存使用国产应链,也实现了160层的NAND闪存产品,并且从存储密度来看,达到了12.66 Gb/mm2,不输三星、美光等国际大厂。

再看DRAM内存方面,美国的目标锁死在18nm工艺,不能再前进。

事实上18nm工艺,也就是DDR4的水平,不准再进入DDR5,因为进入DDR5的话,就要突破18nm工艺了。

而近日,韩国媒体ZDNet Korea报道称,中国DRAM芯片大厂长存(CXMT)已经量产了DDR5内存芯片。

而TechInsights 的 Jeongdong Choi 博士说则称,这款DDR5 的开发是使用 G3 工艺(线宽 17.5 nm)进行的,明显也是突破了18nm了。

可见,越是打压,中国芯片产业进步越快,美国想要封锁的三个方向,被我们都突破了。

而按照网友们的说法,一旦中国掌握的技术,那么将迅速变成白菜价,所以接下来不知道那些国际大厂,准备好迎接中国厂商的冲击了么?

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评论列表
  • 2024-12-23 19:40

    自强不息是基础,高质量发展的要求

  • 2024-12-23 22:11

    为什么一旦中国掌握了技术就一定会成为白菜价?如果真的是这样对谁都没好处的。那么谁都不想你掌握技术了的谁都会对你封锁的

    它山之石 回复:
    科技白菜价是实现科技普惠的前提,否则就像西方,只能享受天价疫苗药品、天价医疗费用

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