在一些朋友的印象中，原厂提供高性能、模组厂输出性价比。不过随着PCIe 4.0 SSD的全面普及，原厂SSD也涌现出众多兼顾高性能和高性价比的主流级产品。除了致态TiPlus7100和西数SN770之外，近期铠侠SD10和三星990 EVO两款产品也加入到竞争中来，今天一起来看看各家原厂主流PCIe 4.0 SSD的表现如何。

本次对比的四款原厂PCIe 4.0 SSD中当属西数SN770问世最早，它具备5150/4850 MB/s顺序读写和650K/800K IOPS随机读写性能。

作为主流级PCIe 4.0 SSD的游戏规则改变者，TiPlus7100的2TB版本在2022年底推出，集总线饱和（PCIe 4.0 x4满速读取）、大容量和高性价比于一身，7000/6000 MB/s的顺序读写速度是本次横评的四款SSD中最高的。

铠侠SD10在去年底问世，这也是EXCERIA PLUS系列首次进入PCIe 4.0时代。铠侠SD10 2TB顺序读写速度5000/3900 MB/s，同更快的SE10之间拉开了距离。铠侠SD10 2TB的标称写入寿命达到1200 TBW，解决了过去型号中影响保修的TBW值较市场主流偏低的问题。

三星990 EVO则是四款横评SSD中最晚上市的，同时也是市面上首款PCIe 5.0/PCIe 4.0双模式SSD：可自动在PCIe 5.0 x2和PCIe 4.0之间进行切换。不过由于990 EVO的顺序读写速度只有5000/4200 MB/s，双模切换的实用价值并不明显。

本次横评的4款2TB原厂PCIe 4.0高性价比SSD都采用了无DRAM缓存设计，致态TiPlus7100使用足容2048GB设计，比另外三款2000GB产品的格式化容量多出45GB。

测试平台：

CPU：Intel Core i9-13900K主板：技嘉Z790 AORUS PRO X WIFI7内存：Lexar DDR5-6000 16GB*2硬盘：Samsung 980 PRO 1TB（系统盘）致态TiPlus7100 2TB（FW：ZTA22003）三星990 EVO 2TB（FW：0B2QKXJ7）铠侠SD10 2TB（FW：ELFA01.2）西数SN770（FW：731100WD）系统：Windows 11驱动：系统默认stornvme

基准测试1：理论带宽测试

通过CrystalDiskMark可以测试SSD的理论读写性能。

致态TiPlus7100 2TB的实测成绩为顺序读取7125.55MB/s，顺序写入6364.90MB/s；4K随机读取944K IOPS，4K随机写入1053K IOPS，都大幅超过其标称值。

三星990 EVO 2TB的实测成绩为顺序读取5084.33MB/s，顺序写入3753.70MB/s；4K随机读取784K IOPS，4K随机写入832K IOPS。经反复测试，990 EVO 2TB在我们测试平台上的顺序写入无法达到其标称值。

铠侠SD10 2TB的实测成绩为顺序读取5071.51MB/s，顺序写入3965.39MB/s；4K随机读取707K IOPS，4K随机写入990K IOPS，均达到并超出其标称值。

西数SN770 2TB的实测成绩为顺序读取5226.15MB/s，顺序写入4912.16MB/s；4K随机读取670K IOPS，4K随机写入833K IOPS，都大幅超过其标称值。

在大家关心的4K单线程随机读取性能方面，致态TiPlus7100以96.11 MB/s的成绩领跑，随后是三星990 EVO的87.48 MB/s和西数SN770的82.18 MB/s。铠侠SD10由于使用了2平面设计的1024Gb die 112层堆叠BiCS5闪存，这种类型的闪存主要面向成本优化，这能够解释它的4K单线程随机读取只有68.87 MB/s。

基准测试2：PCMark 10完整系统盘基准测试

PCMark 10完整系统盘基准针对当代最新固态硬盘的广泛测试，涵盖了系统开机启动、Adobe设计套件应用、Office办公套件应用、图片/ISO文件拷贝复制、多个游戏加载过程等测试内容。

导出详细数据分项对比，首先是游戏加载性能环节：

Windows启动和Adobe设计软件启动性能对比：

办公和设计软件使用过程：

PCMark 10使用记录-回放式原理来反应不同SSD在处理相同负载时的性能表现，而不是像CrystalDiskMark那样分开测试纯读纯写等理想状况。从测试结果来看，致态TiPlus7100和新推出不久的三星990 EVO占据了性能制高点，特别是在系统和软件启动过程这一项上，致态TiPlus7100优势非常明显。

基准测试3：3DMark存储基准测试

3DMark存储基准测试涵盖了战地5、使命召唤15：黑色行动4、守望先锋三款游戏的启动加载过程、在运行守望先锋的同时通过OBS记录1080P游戏视频、从EPIC平台安装天外世界、天外世界游戏进度保存以及将Steam游戏反恐精英：全球攻势从移动硬盘拷贝到系统盘的过程，涵盖了PC游戏玩家所能遇到的方方面面。

致态TiPlus7100 2TB在3DMark存储基准测试中的成绩为3966分，平均存储带宽675.05 MB/s，平均存取时间45微秒。

三星990 EVO 2TB在3DMark存储基准测试中的成绩为3912分，平均存储带宽671.46 MB/s，平均存取时间46微秒。

铠侠SD10 2TB在3DMark存储基准测试中的成绩为3704分，平均存储带宽641.18 MB/s，平均存取时间49微秒。

西数SN770 2TB在3DMark存储基准测试中的成绩为3959分，平均存储带宽687.87 MB/s，平均存取时间46微秒。

分项目对比：

致态TiPlus7100在最影响日常使用体验的游戏加载项目中保持领先，西数SN770则在以顺序写为主的一些项目中拥有一定优势。

进阶测试项目1：SLC缓存测试

测试在无分区条件下使用IOMeter进行，测试期间所有SSD均使用主动散热以避免过热限速可能对测试成绩产生的影响。

空盘状态下，致态TiPlus7100 2TB可用SLC缓存容量约为257GB，三星990 EVO 2TB可用SLC缓存容量约为119GB，铠侠SD10 2TB可用SLC缓存容量约为469GB，西数SN770 2TB可用SLC缓存容量约为715GB（全盘SLC缓存）。缓存外TLC直写速度，致态TiPlus7100 2TB大约3703 MB/s，三星990 EVO 2TB大约1787 MB/s，铠侠SD10 2TB大约490 MB/s，西数SN770 2TB大约420MB/s。

采用长江存储晶栈®Xtacking ®3.0架构闪存的致态TiPlus7100表现出众，缓外写入速度是采用三星第六代V-NAND闪存的990 EVO两倍有余。铠侠SD10和西数SN770则是一对难兄难弟，为了掩盖写入速度上的缺陷，两款型号都采用了较大的SLC缓存，尽量避免直接用到缓外写入。

进阶测试项目2：温度压力测试

温度压力测试在26度室温、被动散热条件下进行，目的是考察SSD在极端重负载压力下的温控策略。四款SSD都没有自带散热片或在主控上增加镀镍层，仅三星990 EVO在PCB背面闪存对应的位置上设有辅助散热标签。使用IOMeter进行1MB QD8顺序读取以保持压力恒定，速度、温度、累计读取数据量信息由HWiNFO64采集。需要说明的是，不同品牌SSD对合成温度的计算和显示方式不同，不代表芯片的实际温度。

致态TiPlus7100 2TB：满速读取维持42秒，限速前读取数据量273 GB。15分钟内读取数据量3229 GB。

三星990 EVO 2TB：满速读取维持34秒，限速前读取数据量159 GB。15分钟内读取数量3166 GB。

铠侠SD10 2TB：满速读取维持68秒，限速前读取数据量321 GB。15分钟内读取数据量2567 GB。

西数SN770 2TB：满速读取维持96秒，限速前读取数据量460 GB。15分钟内读取数据量3809 GB。

这个测试的结果还是有些出人意料的，无论是满速维持时间还是一段时间内的数据读取量，都是由性能相对较低的型号获得领先。在我们的测试条件下铠侠SD10能够长时间维持2830 MB/s读取速度，西数SN770则是在非常小的温度范围内反复限速和解除，获得了更高的平均读取速度。当然以系统盘、游戏盘的日常使用压力来看的话，致态TiPlus7100的爆发读取能力是其他三款型号难以企及的。

进阶测试项目3：真实游戏加载性能

无论是CrystalDiskMark还是PCMark 10完整系统盘基准测试和3DMark存储基准测试，都难免会受SLC缓存延缓释放策略的干扰，得出高于SSD实际读取性能的成绩。通过向SSD内拷贝最终幻想14 Benchmark后手动填充过半盘，可以促使SSD释放SLC缓存，从而检验其真实游戏加载性能。

致态TiPlus7100 2TB：游戏场景加载用时5.740秒。

三星990 EVO 2TB：游戏场景加载用时7.722秒。

铠侠SD10 2TB：游戏场景加载用时6.919秒。

西数SN770 2TB：游戏场景加载用时7.109秒。

测试结果用时越短越好：

凭借的先进的SATURATION饱和理念，致态TiPlus7100问世伊始便获得了“六边形全能战士”的评语。长江存储晶栈®Xtacking ®3.0架构提供的2400 MT/s闪存接口使得TiPlus7100能够在主流级四通道方案上实现旗舰级的读写带宽。在上市一年多之后，致态TiPlus7100依然在主流级SSD中笑傲江湖。

三星990 EVO使用了更新的5纳米主控，但在温度压力测试中没有展现出先进制程的优势。同时它也没有像PM9C1a那样搭配接口速度2000MT/s的三星第七代V-NAND，略显保守。跑分优化方面990 EVO延续了三星一贯的高水准，在除最终幻想14 Benchmark之外的项目中都取得了较好的成绩。

DRAMLess时代，铠侠SD10可谓是姗姗来迟，同样采用了传统1600 MT/s闪存，顺序速度相比两年前的西数SN770没有进步。铠侠SD10采用的2平面1024Gb die闪存无论是读取延迟还是写入带宽表现都不够好。好在铠侠提供了一个较低的定价，使得SD10能够保持一定的竞争力。

除了主流消费级PCIe 4.0 SSD，PCEVA评测室接下来还计划为大家带来多款商用消费级SSD的横评，欢迎关注。