太平洋科技快讯】近日，英特尔新任 CEO 陈立武在IntelFoundry Direct Connect 2025 活动中表示，18A 工艺节点已进入风险生产阶段，预计将在 2025 年晚些时候开始量产。同时，18A 工艺的性能增强版——18A-P，也已在晶圆厂中运行，并产出了早期晶圆。 英特尔还透露，其 18A-PT 版本将采用类似AMD3D V-Cache 的 3D 堆叠技术，名为 Foveros Direct，实现垂直晶圆堆叠，并在关键互连密度方面与台积电的产品相媲美。

英特尔还宣布了 14A 工艺节点的最新进展。作为 18A 的后续工艺节点，14A(1.4nm 等效)预计将于 2027 年推出，并成为业内首个采用 High-NA EUV 光刻技术的节点。相比 18A，14A 预计能效将提升 15%-20%，芯片密度将增加约 30%，功耗也将进一步降低。

为了满足先进封装的需求，英特尔代工服务将提供系统级集成服务，利用 Intel 14A 和 Intel 18A-P 制程节点，通过 Foveros Direct(3D 堆叠)和 EMIB(2.5D桥接)技术实现连接。此外，英特尔还将推出新的先进封装技术，包括面向未来高带宽内存需求的 EMIB-T，以及在 Foveros 3D 方面的 Foveros-R 和 Foveros-B，为客户提供更多高效灵活的选择。

根据英特尔的官方路线图，18A-P 将在 2026 年推出，18A-PT 要等到 2028 年。14A 将在 2027 年到来，还会有 14A-E 工艺。在行业竞争方面，台积电的 2nm(N2)工艺预计 2025 年下半年量产，性能提升 10%-15%，功耗降低 25%-30%。英特尔的 14A 节点预计领先台积电一年推出，且将首次采用 High-NA EUV 技术。