失效分析工作是一个及其复杂的过程，它需要多学科相互交叉。

芯片失效分析的步骤

1. 外观检查。

2. X-ray。

3.声学扫描显微镜检查。

4.I-V曲线测试。

5.化学解封装后内部视检。

6.微光显微镜检查。

芯片失效分析案例

1. 案例背景

收到客户样品2Pcs芯片，客户描述1Pc为NG样品，另1Pc为OK样品，根据客户要求进行失效分析原因。

2.分析方法简述

2.1 外观检查

OK芯片外观形貌

NG芯片外观形貌

说明：光学显微镜检查显示OK样品正面、背面以及侧面无其他明显外观异常。检查显示NG样品正面、背面及侧面均有助焊剂残留及黑胶残留。

2.2 X-射线检查

OK芯片X-Ray形貌

NG芯片X-Ray形貌

说明：X-射线检查显示OK样品与NG样品内部形貌一致，内部键合线不一致，无其他明显内部异常。

2.3声学扫描显微镜检查

OK芯片C-SAM形貌

NG芯片C-SAM形貌

说明：声学扫描显微镜检查显示OK样品与NG样品芯片表面及引线框面均无明显异常。

2.4 I-V曲线测试

OKI-V曲线测试图

NGI-V曲线测试图

说明： I-V测试曲线分析（电流500uA/电压500mV），NG样品测试曲线有VCC对GND存在差异，可能存在微漏电情况。

2.5 化学解封装后内部视检

OK芯片化学解封装后内部形貌

NG芯片化学解封装后内部形貌

说明：化学解封装后光学显微镜检查显示OK样品与NG样品形貌一致，无其他异常特征。

2.6 微光显微镜检测

NG样品微光显微镜检测形貌

说明:微光显微镜检测（5V电压、1mA电流）显示NG样品芯片GND对VCC间存在漏电异常现象。

失效分析结论

对客户提供的NG样品芯片进行外观检查，I-V测试曲线分析以及结合微光显微镜检测结果，推测芯片失效的原因是芯片内部轻微漏电，导致工作异常。