四大氮化镓企业齐发新品!

科技有话叨叨叨 2025-04-11 02:37:16
前言

在能源效率革命与电力电子小型化需求的双重驱动下,氮化镓(GaN)技术正以"第三代半导体"之姿重塑全球功率器件产业格局。2025年,随着新能源汽车、光伏储能、AI算力等万亿级市场对高效电能转换的迫切需求,全球氮化镓头部企业掀起新一轮技术竞逐。

充电头网也汇总了近期全球氮化镓头部企业推出的各大新品——Power Integrations以1700V氮化镓开关IC突破电压瓶颈,纳微半导体开创双向功率芯片新纪元,英诺赛科则在热管理与系统集成领域树立新标杆。接下来充电头网将详细介绍一下这些新品。

Infineon英飞凌英飞凌CoolGaN功率晶体管

英飞凌的CoolGaN晶体管是基于氮化镓技术的高性能功率器件。其采用增强型(E-mode)高电子迁移率晶体管(HEMT)结构,工作电压覆盖 40V 至 700V 范围,具备超快速开关速度、极低的开关损耗(零反向恢复电荷)及出色的动态导通电阻特性。

通过优化栅极电荷和输出电容,CoolGaN晶体管在硬开关和软开关拓扑中均表现优秀,可有效提升系统效率和功率密度,同时支持高频运行,助力设备小型化与轻量化。器件提供多样化封装,兼容行业标准,可简化设计流程并加速产品上市。在音频放大器中CoolGaN晶体管进一步提高了音频质量,使总谐波失真(THD)降低70%,实现了更加精准、细腻的声音体验,并通过减少40%的待机电流大幅提升了能效。

Innoscience英诺赛科英诺赛科 INN100EA035A

英诺赛科推出 100V GaN 功率器件 INN100EA035A,采用先进的双冷却 En-FCLGA 封装,通过优化热管理将导热率较传统单冷却方案提升65%,有效降低工作温度并提高系统效率。该器件具备3.5mΩ超低导通电阻、低栅极电荷、低开关损耗及零反向恢复电荷特性,针对AI服务器48V DC-DC电源及高密度应用场景,可较传统MOSFET方案降低35%以上系统功率损耗,同时提升20%的功率密度。

该产品采用双面散热设计通过垂直电流路径优化PCB布局,减少寄生电阻,简化了从硅基MOSFET向高性能GaN方案的升级替代。该产品系列覆盖1.8mΩ至7mΩ导通电阻范围,适用于AI GPU供电、数据中心电源等场景。

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英诺赛科 ISG612xTD

英诺赛科推出的ISG612xTD SolidGaN IC系列是行业首款面向大功率应用的700V E-Mode GaN 功率集成芯片,采用TO-247-4L封装,集成功率开关管、精密Vgs栅极驱动器及多重保护功能。该系列导通电阻覆盖22mΩ~59mΩ,通过集成米勒钳位技术支持100V/ns高速开关,无需负压关断,并内置去饱和保护、欠压锁定及过温保护,有效提升系统鲁棒性。

该产品设计兼容IGBT/SiC/MOSFET引脚布局,可无缝替换传统器件,简化设计流程;结合10-24V宽输入电压范围适配主流控制器生态,支持高频开关及Titanium Plus级能效标准。产品适用于500W-4KW高功率场景,如服务器电源、空调驱动及车载充电机等领域。

Navitas纳微纳微半导体650V双向GaNFast氮化镓功率芯片

纳微半导体推出了全球首款量产级650V双向GaNFast氮化镓功率芯片及配套IsoFast高速隔离驱动器,通过单级双向开关(BDS)拓扑技术革新传统双级功率转换架构。该方案将AC-DC与AC-AC转换的能效、功率密度和成本优势推向新高度。

该产品单片集成双向开关采用漏极合并、双栅极控制及有源基板钳位技术,以单一芯片替代4个传统硅基开关,结合IsoFast驱动器 200 V/ns瞬态抗扰能力及免负压供电设计,可有效降低系统复杂度、PCB面积及成本,实现典型场景下10%成本缩减、20%能效提升及50%体积压缩。

目标应用涵盖电动汽车车载充电、充电桩、光伏逆变器及储能系统,推动高频高效单级拓扑替代传统双级架构,消除笨重电容与电感,加速能量双向流动场景的产业化进程。产品已通过认证并量产,评估板面向核心客户开放,有望重塑数十亿美元规模的高效能源转换市场。

Power IntegrationsPower Integrations 推出1700V氮化镓开关IC,为氮化镓技术树立新标杆

Power Integrations推出的InnoMux-2系列单级多路输出离线式电源IC,是全球首款采用1700V氮化镓开关技术的产品,该产品基于其专有PowiGaN平台打造。该器件在反激拓扑中支持1000VDC输入电压,通过单级设计实现多路独立输出,每路输出电压调整精度达±1%,无需后级稳压器,系统效率提升约10%,整体效率超90%。

该产品具备突破性1700V耐压,远超当前市面GaN HEMT水平,并整合三大核心技术:次级侧数字隔离通信技术FluxLink、零电压开关技术,以及多路输出的精准调控能力,可替代高成本碳化硅方案。应用覆盖汽车充电、太阳能逆变器、三相智能电表及工业电源系统等领域。

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充电头网总结

氮化镓技术的快速发展正以前所未有的速度推动功率电子产业的变革。Power Integrations、纳微半导体和英诺赛科等企业不断推出突破性产品,氮化镓在高电压、大功率、双向转换及高频高效应用领域的优势愈发凸显。从服务器电源到新能源汽车,从光伏储能到AI计算,氮化镓正在成为新一代能源转换的核心支撑技术。

未来,随着产业链的进一步成熟和技术的持续演进,我们有理由期待氮化镓在更广泛的应用场景中绽放光彩,为全球能源效率提升贡献更多可能性。

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