本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）综合
Omdia预测 SK 海力士Q3销售额达128亿美元创新高。
由于 AI 需求大增，市场研究公司 Omdia 今日发布的最新报告显示三星电子和 SK 海力士将创下最高 Q3 纪录，而且 SK 海力士预计将首次超过英特尔。
Omdia 预测今年第三季度全球半导体行业总收入可达 1758.66 亿美元（当前约 1.25 万亿元人民币），环比第二季度 1621.8 亿美元增长 8.5% 左右。
分析师认为，英伟达是“AI 崛起”浪潮中的最大受益者，预计第三季度营收为 281.03 亿美元（当前约 1995.27 亿元人民币），并将继续保持其市场领先地位（半导体销售份额 16.0%）。
Omdia 预计三星电子 Q3 半导体销售额将达到 217.12 亿美元（当前约 1541.52 亿元人民币），这也是自 2018 年第三季度（210.15 亿美元）以来的六年最高纪录，预计仍能以 12.3% 的市场份额保持第二。
SK 海力士今年第二季度创下了 116.9 亿美元营收新高，但 Q3 可能又会再次刷新纪录。Omdia 预测 SK 海力士第三季度销售额为 128.34 亿美元（当前约 911.19 亿元人民币），市场份额 7.3% 超越英特尔跃居第三位。这也是自 2002 年 Omdia 开始统计并公布半导体行业数据以来 SK 海力士首次超越英特尔。
Omdia 预计英特尔今年第三季度将跌至第四位（市场份额 6.9%），销售额为 121.34 亿美元（当前约 861.49 亿元人民币），较上季度（121.6 亿美元）略有下降。
韩联社指出，曾属于半导体龙头的英特尔，自从去年第三季度输给英伟达后，又在去年第四季度把第二名的位置输给了三星电子，然后接下来可能还会继续输给 SK 海力士，这意味着该公司正面临成立以来最大危机。
除上述四大企业之外，Omdia 预计博通第三季度销售额将超越高通，跃升至第五位。博通 Q3 销售额预计可达 84.52 亿美元（市场份额 4.8%），而高通为 82.61 亿美元（市场份额 4.7%）。
再其次是美光（75.61 亿美元，4.3%）、AMD（66.2 亿美元，3.8%）、苹果（55.09 亿美元，3.1%）和英飞凌（42.87 亿美元，2.4%）。
三星和SK 海力士抢占NAND市场份额
TrendForce NAND 市场追踪显示，三星和 SK 海力士-Solidigm 的市场份额有所增长，而铠侠-西部数据合资公司和美光的市场份额则有所下降。
其最新季度报告将三星定位为行业领先者（36.9%），而 SK 集团（SK 海力士和 Solidigm）则与之前处于相同的位置：第二大 NAND 闪存供应商（22.1%），两者均按 2024 年第二季度的收入计算。
接下来的三家供应商分别是铠侠(13.8%)、美光 (11.8%) 和西部数据(10.5%)。总收入为 168 亿美元，比第一季度的 147 亿美元高出 14.2%。我们查看了 TrendForce 的先前报告，并绘制了过去两年供应商市场份额历史图表。
我们可以看到，自 2023 年初以来，SK 海力士集团的份额一直在稳步增长，三星的份额也从 2023 年第二季度开始增长。份额下跌的是铠侠、美光 和西部数据，尤其是铠侠。由于铠侠和西部数据是一家 NAND 制造合资企业，我们将他们的份额加在一起（图表上的虚线），我们可以看到，SK 集团的崛起恰逢其时，他们的市场份额大幅下降。
TrendForce 报告显示，铠侠的份额从 2024 年第一季度到第二季度有所增长，从 12.4% 上升至 13.8%，而 WD 的份额则下降了 11.6%，降至 10.5%。SK 集团的份额也略有下降，从 22.2% 降至 22.1%，而美光的份额则上升了一个百分点，从 11.7% 上升至 11.8%。
铠侠 2024 财年第一季度营收为 4285 亿日元（31 亿美元），创下历史新高，较去年同期的 3221 亿日元（23 亿美元）增长 33%，净收入从 103 亿日元（7300 万美元）增至 698 亿日元（5 亿美元）。该公司表示：“由于客户库存正常化和 AI 需求，对数据中心和企业 SSD 的需求正在增长。”
TrendForce 告诉我们，“美光将其第二季度的营收增长归功于大容量企业级 SSD 的强劲增长，并计划转移其产品重点，预计第三季度企业级 SSD 出货量将继续增长。”此外，西部数据计划推出两款新产品，以抓住 AI 市场的机遇。
三星和 SK 海力士集团都更加关注企业级 SSD。TrendForce 预测，2024 年第三季度 NAND 行业收入“预计将与上一季度基本持平”。
SK海力士首发第六代10纳米DRAM芯片前不久，SK海力士表示已开发出业界首款第六代10纳米级动态随机存取存储器（DRAM）芯片，该芯片的功耗比旧型号更低、能效则更高。
SK海力士在一份声明中表示，这款DRAM芯片名为1c 16Gb DDR5，其中的1c代表了SK海力士的第六代10纳米工艺。
据介绍，此次1c 16Gb DDR5芯片将主要用于高性能数据中心，其运行速度为8Gbps（每秒8千兆比特），与前一代相比速度提高了11%；此外该芯片还比前一代的能效提高了9%以上。
该公司还表示，在当前人工智能蓬勃发展的时期，这可以帮助数据中心减少多达30%的电力成本。
此次的1c工艺是以1β工艺为基础，1β工艺就是上一代DRAM芯片采用的第五代10纳米技术，其以最佳性能的DRAM而广受赞誉的。为了减少在推进过程中产生的潜在错误，并以最有效的方式转移1β的优势，该公司扩展了1β的DRAM平台以开发1c。
