2024年，当三星半导体部门为3nm工艺的良率焦头烂额时，一定不会想到，一个中国人的离开会让三星的技术陷入如此困境。

而曾带领三星实现制程飞跃的梁孟松，如今回到中国加入中芯国际，再次帮助中芯国际崛起。

可以说，现在的三星，在3nm良率不足20%，而高通、英伟达等转投台积电的困境中，印证了这位芯片传奇人物的真正价值。

2009年，台积电的一些内部风波让时年57岁的梁孟松负气出走。这位参与过台积电0.13微米铜制程、28nm工艺研发的核心人物，最终选择在韩国开启事业第二春。

当时的三星正困在28nm工艺泥潭中，与台积电20nm的差距看似难以逾越。

梁孟松的到来改变了游戏规则。他力排众议，跳过业界通行的20nm节点，直接押注FinFET立体晶体管技术。

2014年，三星14nm工艺横空出世，晶体管密度比台积电16nm高，功耗更低。这场豪赌不仅让三星抢下苹果A9处理器40%的订单，更让三星有了与台积电PK的勇气和能力。

但是在2017年，梁孟松离开了三星，加入了中芯国际。

而这也成为了三星芯片技术落后的开始：2018年三星10nm工艺尚能维持竞争力，到2020年5nm节点却出现戏剧性滑坡。采用三星5nm工艺的高通骁龙888，功耗较前代暴涨20%，被戏称为"火龙芯"。

后来据称，三星5nm良率仅有35%，远低于台积电的80%，而到3nm时，良率只有20%，导致曾经的客户高通、英伟达都怕了，纷纷不敢让三星代了。

事实上，如果懂芯片工艺的人都清楚，梁孟松的出走恰逢三星半导体工艺进入深水区。当制程进入5nm以下，量子隧穿效应、光刻精度等难题呈指数级增长，这恰恰需要梁孟松这类既懂基础研究又擅工程转化的"桥梁型"人才。

而对比台积电的稳健，三星的技术断层愈发明显。前者在7nm时代就建立起了整个核心团队，而三星至今仍在重复梁孟松时代的"集中攻坚"模式。一位前三星工程师坦言："梁博士在的时候，他就像活体技术路线图，现在我们需要用三倍的人力试错。"

就在三星陷入技术困局时，梁孟松在中芯国际完成三次工艺跨越。2019年带领中芯国际突破14nm，2020年实现N+1工艺（等效7nm），如今技术不再对外公布，但大家猜测，至少达到了等效5nm，真假未知。

这个技术虽然与顶尖水平仍有差距，但这位大神，依然用实际成绩，证明了自己的能力。

半导体行业向来有"一代设备，一代工艺，一代人才"的说法。三星的教训表明，技术突围不能仅靠个别天才，更需要建立可持续的人才培养体系。当梁孟松在中芯国际培养出第三代研发团队时，曾经依靠他实现逆袭的三星，正在为当年的"人才断档"付出代价。或许正如ASML工程师所言："芯片战争真正的胜负手，不在光刻机的数量，而在实验室里那些沉默的头脑。"