我国成功攻克第四代雷达难题。

我国在第四代氧化镓半导体材料领域斩获重大突破，4英寸晶体生长制造进展斐然，这一成果让新型有源相控阵雷达离现实更近一步。

氧化镓半导体晶体材料禁带宽度达4.9电子伏特，远超上一代氮化镓晶体的3.39eV，高出1.51eV，熔点为1900°C。禁带宽度数值越高，同等尺寸雷达发射功率越大，电子战与抗干扰能力越强，意味着它能耐受更高电压、温度，发射功率更强劲。这标志着我国已成功攻克第四代氧化镓有源相控阵雷达最核心材料的生产难题，进一步扩大在该领域的领先身位，将美国远远甩开。

科普一下，在固态半导体材料里，电子能量呈不连续的能带分布，材料导电需产生自由电子或空穴，原子核束缚的电子进入导电态需吸收的最小能量即禁带宽度。

当下，美军有源相控阵雷达大多还停留在第二代砷化镓时代，核心材料砷化镓晶体禁带宽度仅1.42电子伏特，熔点600°C。我国则普遍装备第三代氮化镓相控阵雷达，而且是顶尖的数字阵列氮化镓有源相控阵雷达。其禁带宽度3.39eV，熔点1700°C，功率密度是美军砷化镓雷达的10倍左右，追踪目标数量、探测隐形目标与电子战能力远超美军。

像F22的砷化镓相控阵雷达峰值功率20千瓦，而歼20配备的氮化镓相控阵雷达峰值功率达44千瓦，同等目标探测距离超400公里。

如今，随着氧化镓材料取得进展，我国有源相控阵雷达有望迈入第四代，必将续写性能领先的新篇章。