2025年包含在建与新建厂案，台积电海内外建厂总数将达10个，这不仅是该公司历来头一遭，更写下全球半导体业同时推进10个厂建设的新纪录，并推升台积电明年资本支出恢复高年成长走势。

台积电全球布局，2025年包含在建与新建厂，海内外建厂总数冲十个。台积电2025年资本支出可望达340亿美元至380亿美元，挑战新高。对于2025年资本支出，台积电回应，公司尚未公布2025年资本支出规划，有关资本支出说明，请以公司公开信息为主。

其中，台湾在建与新建厂有七个，涵盖先进制程晶圆厂与先进封装厂。

台湾七个在建与新建厂包括新竹与高雄为2纳米量产基地持续推进，两地各有两座，共计四个厂。先进封装方面，包含购自群创南科厂定名为AP8的厂区、中科持续扩产CoWoS，以及嘉义先进封装CoWoS与SoIC投资，合计三个厂。

海外方面，2025年将同步推进美、日、欧三地建厂，包含官方已预告日本熊本二厂兴建工程计划2025年第1季开始，目标2027年量产；美国晶圆21厂第二座厂，以及德国德勒斯登特殊制程新厂持续推进建设等。

台积电对 EUV 和High NA EUV 技术的投资有望塑造半导体制造的未来。这些巨额投资将使生产功能越来越强大、效率越来越高的芯片，以用于广泛的应用。

台积电预计将于 2024 年 9 月从荷兰制造商 ASML获得其首台高数值孔径 (high-NA) 极紫外 (EUV) 光刻系统“EXE:5000”。尽管媒体对确切交付日期的报道各不相同——有些报道暗示将于今年年底在台积电的新竹研发中心安装——但确切的时间表并不像更广泛的影响那么重要。

关键点在于台积电对这项尖端技术的立场不断演变。该公司最初持谨慎态度，现在已全面采用高数值孔径 EUV 光刻技术，以在竞争激烈的芯片行业中保持领先地位，而该行业对面向 AI 的超精细工艺的需求正在迅速增长。

采用高数值孔径 EUV 扫描仪对于台积电开发 2 纳米以下工艺至关重要。这些先进系统将数值孔径从 0.33 提高到 0.55，从而实现更高的分辨率和更精确的半导体晶圆图案化。

台积电计划将High NA EUV扫描仪纳入其1.4nm（A14）工艺，该工艺预计于2027年投入量产。

然而，这些先进的光刻系统不会立即投入使用。在将它们集成到大批量生产之前，还需要进行严格的测试、微调和工艺优化。

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