目前，主流的TOPCon层沉积技术主要有LPCVD、 PECVD 和 PVD 三种技术路线。
LPCVD 全称为低压力化学气相沉积法(Low Pressure Chemical Vapor Deposition)，该技术优点在于工艺成熟、控制简单容易，但难于镀膜速度慢，同时存在原位掺杂、有绕镀、石英件沉积严重、类隐裂等问题。
PECVD 全称为等离子体增强化学气相沉积法( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition )。根据沉积腔室等离子源与样品的关系、以及腔室的不同又可细分为微波 PECVD、管式 PECVD 和板式 PECVD。微波 PECVD 沉积速率高达 100A/s，但目前沉积的氧化硅膜较厚，且维护成本比较高。管式 PECVD 和板式 PECVD 同样可以实现原位掺杂和无绕镀，但也存在含氢、维护成本高等问题。
PVD 为物理气相沉积法(Physical Vapor Deposition)，与 PECVD 一样可以实现原位掺杂、无绕度和冷壁，但目前技术仍不够成熟。
下图以图形方式总结了ISFH的文献综述，通过饱和电流密度J0（fA/cm2）对比不同钝化方式的钝化质量。Poly-Si可以通过LPCVD或PECVD与这两种方式沉积，决定接触钝化质量和电池效率的因素还包括界面隧穿氧化层和表面形态（绒面或平面）。我们从这张图表中得出如下结论：
目前，主流的TOPCon层沉积技术主要有LPCVD、 PECVD 和 PVD 三种技术路线。
LPCVD 全称为低压力化学气相沉积法(Low Pressure Chemical Vapor Deposition)，该技术优点在于工艺成熟、控制简单容易，但难于镀膜速度慢，同时存在原位掺杂、有绕镀、石英件沉积严重、类隐裂等问题。
PECVD 全称为等离子体增强化学气相沉积法( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition )。根据沉积腔室等离子源与样品的关系、以及腔室的不同又可细分为微波 PECVD、管式 PECVD 和板式 PECVD。微波 PECVD 沉积速率高达 100A/s，但目前沉积的氧化硅膜较厚，且维护成本比较高。管式 PECVD 和板式 PECVD 同样可以实现原位掺杂和无绕镀，但也存在含氢、维护成本高等问题。
PVD 为物理气相沉积法(Physical Vapor Deposition)，与 PECVD 一样可以实现原位掺杂、无绕度和冷壁，但目前技术仍不够成熟。
下图以图形方式总结了ISFH的文献综述，通过饱和电流密度J0（fA/cm2）对比不同钝化方式的钝化质量。Poly-Si可以通过LPCVD或PECVD与这两种方式沉积，决定接触钝化质量和电池效率的因素还包括界面隧穿氧化层和表面形态（绒面或平面）。我们从这张图表中得出如下结论：
不同钝化方式的钝化质量对比
PECVD沉积多晶硅未在制绒表面进行测试，可能是由于镀膜均匀性差，对双面绒面的双面电池钝化效果差。PECVD沉积多晶硅搭配热氧化钝化效果优于湿氧化，因此隧穿氧化层制备方法对钝化质量有一定的影响。搭配PECVD沉积多晶硅的热氧化需要额外的设备。LPCVD沉积多晶硅在热氧化和化学湿法氧化得到相似的J0，这表明LPCVD技术在使用热或湿化学氧化物方面具有更大的灵活性。此外，热氧化可以和LPCVD在同一炉管中进行。LPCVD 适用于平面和绒面，更适合于双面电池。PECVD镀膜工艺搭配p型多晶硅、热氧化、抛光表面体表现出良好的钝化结果，这意味着此工艺可以适用于其他的电池结构。由于上述原因，LPCVD目前在TOPCon产线生产中进行了广泛的测试。与PECVD不同，LPCVD沉积的主要缺点是石英件的消耗以及多晶硅的绕镀问题，硅片背靠背的装载在专门设计的石英舟上仍然会有边缘5mm左右的绕镀。得益于大产能LPCVD设备的研发，镀膜设备的成本进一步下降，采用双面镀膜方案可以简单有效的去除电池正面poly硅绕镀问题。与这个缺点对比，优势也是很明显的，例如高产量、更高的生长速率、更好的钝化质量和原位隧穿SiO2生长。
PECVD沉积多晶硅未在制绒表面进行测试，可能是由于镀膜均匀性差，对双面绒面的双面电池钝化效果差。PECVD沉积多晶硅搭配热氧化钝化效果优于湿氧化，因此隧穿氧化层制备方法对钝化质量有一定的影响。搭配PECVD沉积多晶硅的热氧化需要额外的设备。LPCVD沉积多晶硅在热氧化和化学湿法氧化得到相似的J0，这表明LPCVD技术在使用热或湿化学氧化物方面具有更大的灵活性。此外，热氧化可以和LPCVD在同一炉管中进行。LPCVD 适用于平面和绒面，更适合于双面电池。PECVD镀膜工艺搭配p型多晶硅、热氧化、抛光表面体表现出良好的钝化结果，这意味着此工艺可以适用于其他的电池结构。由于上述原因，LPCVD目前在TOPCon产线生产中进行了广泛的测试。与PECVD不同，LPCVD沉积的主要缺点是石英件的消耗以及多晶硅的绕镀问题，硅片背靠背的装载在专门设计的石英舟上仍然会有边缘5mm左右的绕镀。得益于大产能LPCVD设备的研发，镀膜设备的成本进一步下降，采用双面镀膜方案可以简单有效的去除电池正面poly硅绕镀问题。与这个缺点对比，优势也是很明显的，例如高产量、更高的生长速率、更好的钝化质量和原位隧穿SiO2生长。
