韩国存储芯片厂商SK海力士近日宣布将斥资38.7亿美元在美国印第安那州West Lafayette兴建次世代高带宽内存（HBM）先进封装制造和研发设施。
SK海力士预期美国厂将在2028年下半年开始量产，新设施还将开发下一代芯片并设立先进封装研发生产线。
SK海力士执行长郭鲁正受访时表示，美国在可预见的未来都将会是高芯片制造成本地区、特别是在营建和材料领域。他并且说，为了在美国取得成功，SK海力士必须拥有数百名非常优秀的工程师来运作先进封装制造工厂。
美国劳工部劳工统计局（BLS）4月5日公布，2024年3月美国半导体与相关电子元件就业人数月减700人至39.21万人、连续第2个月呈现缩减，与2001年1月的71.45万人（1985年开始统计以来最高）相比短少45%。
