三星新成立HBM团队3月开始从工作小组转为常设办公室，专注HBM4开发。以HBM4为主，原因是采第六代1c制程DRAM芯片，可搭配AI芯片，需求量非常大。
三星HBM3E即将量产，是由现在DRAM团队负责。
工作小组转成常设办公室后验证的确加速HBM开发，办公室由存储业务主管Lee Jung-base领导，凭借重组关键员工增强竞争力。
三星计划2025年提供客户HBM4样品，2026年量产。SK海力士也计划2025年底量产12层DRAM堆叠HBM4，代表SK海力士量产时间还是比三星早。
三星2019年解散HBM团队，导致SK海力士以HBM3拿下巨大市占率。
消息人士指出，三星相信可用HBM4重新夺回领先，并比竞争对手产品更好。与SK海力士相比，三星HBM为热压缩非导电薄膜(TC-NCF)，抗弯曲特性能制造更多层DRAM堆叠HBM。
三星认为还有一个优势，就是自家有晶圆代工。从HBM4开始，三星HBM最底层控制芯片都是自家晶圆代工，而SK海力士则与台积电签署备忘录。
