四年前，华为剑露锋芒，在科技赛道上与美国的巨头们争锋相对，成为它们不可忽视的竞争对手。在此背景下，美国启动了对华为及其同胞企业的制裁行动。在这场半导体行业的“冷战”中，台积电暂停了对华为麒麟芯片的生产，而富士康也转变态度，停止了对华为智能手机的代工生产。

全球光刻机巨头ASML，得益于其技术的深厚美国根基，可谓美国科技实力的延伸。然而，华为的被禁事件后，ASML的尖端EUV光刻机也被禁止对华出口，此举相当于将中国半导体制造能力的进步限制在28nm节点之下。

但是俗话说“风水轮流转”，局面很快反转，ASML的优势已经不再稳固。

在美国发起制裁的早期，当我们的技术团队参访ASML的荷兰设施时，他们的技术代表傲慢地表示即便泄露了设计图纸，我们也无法复制他们的高端光刻技术。然而，短短四年后，国产技术制造的麒麟9000S芯片横空出世，使用的7nm工艺使得ASML的CEO感叹自身的自大和中国人的智慧。

事实上，在华为宣布技术突破前，ASML已似乎通过内部渠道感知到了威胁，开始积极示好中国，力求向中国大量出货DUV光刻机。据ASML的最新财报显示，其对华出货量已经从一年初的8%，增长到第三季度的46%，反映出ASML在力保市场份额。

在EUV光刻机的使用被限制的状况下，华为Mate60 Pro的表现已经堪比搭载更先进芯片的竞争对手。Mate60的订单量的增加和持续的供不应求，显示了其产品的市场接受度。同时，iPhone15系列的价格大跌也预示着行业格局的变动。

据悉，华为计划推出性能更强的芯片系列，将采用3D堆叠工艺，有望在理论性能上赶上当前市场的领头羊。这预示着ASML在高端光刻机市场的领先地位，可能会在不久的将来不复存在。

在全球光刻机技术大潮中，日本的厂商也正在发起挑战。在美日半导体的角逐中，尼康和佳能虽然在EUV技术上失去了优势，但并未放弃竞争。佳能转而全力发展NIL纳米压印光刻技术，这一策略看似奏效。NIL技术与传统光刻技术相比，更为低耗、低成本、且环境友好。而且，佳能最近的突破让其有能力制造最小至2nm线宽的芯片。

佳能的NIL技术已经开始在存储芯片制造中得到应用，并计划在不远的将来将此技术用于更高端的芯片生产。事实上，铠侠已经宣布计划在2025年使用NIL的5nm工艺来制造其存储芯片，而SK海力士也引进了这项技术以期量产3D存储芯片。

重要的是，佳能的NIL技术不涉及美国的核心技术，这意味着美国无法限制该技术对中国的出口。因此，中国大陆可以利用这一技术来生产高端芯片，进一步削弱ASML在全球光刻机市场的地位。

ASML的市场份额的缩水以及NIL技术的兴起，共同说明了一个现实：技术领域的霸主地位并非不可动摇。ASML第一次感受到了这种震荡，并在向中国市场加大出货量上显示出了紧迫感。

此外，华为的技术突破和即将推出的芯片产品线可能会给苹果、高通、英伟达、英特尔等美国科技巨头带来新的冲击。随着技术的不断演进和全球市场的动态变化，美国在科技领域的主导地位面临着前所未有的挑战。