与此同时,台积电已与美国商务部就资金使用达成初步协议。根据协议,台积电承诺将原有的投资计划增加至250亿到650亿美元之间,并计划在2030年前在亚利桑那州完成第三座晶圆厂的建设。这一举措不仅增强了台积电在全球半导体市场的竞争力,也有助于美国在高科技产业的长远发展。
提前的技术部署和生产计划也是台积电策略中的重要一环。原本计划在2025年开始生产的4nm芯片以及2027年的3nm芯片,现在将提前实施。更值得一提的是,台积电还考虑在美国引进更为先进的2nm工艺技术,并将4nm芯片的试产时间提前至今年下半年。这表明,台积电在确保技术领先的同时,也在积极调整其全球生产布局,以适应快速变化的市场需求。台积电在历史上对于在美国建厂的态度曾多次波动。早些年,公司创始人张忠谋曾坚决反对在美国设厂,认为这不符合公司的长远利益。然而,随着时间的推移和市场环境的变化,台积电的立场也发生了变化。刘德音上任后,台积电不仅改变了先前的决策,而且承诺在美国建设采用5nm和3nm工艺的先进工艺厂,投资额已超过400亿美元。这一转变反映了全球半导体行业竞争格局的变化以及对新市场机遇的迅速响应。在美国政府的战略推动下,台积电的美国工厂计划逐渐成型。美国政府的目的明确,即通过吸引台积电等芯片制造巨头在本土建厂,重塑国内的半导体制造业。这一策略虽然带来了高于本土50%的成本,但也为美国带来了高端制造业的复兴机会。台积电在权衡了成本和潜在市场机会后,决定继续推进其在美国的制造计划,尽管这意味着他们必须面对价格谈判中可能遇到的客户抗议。最后,台积电的全球战略和市场定位面临重大考验。随着公司计划将更多生产线转移至美国,台积电的市场地位可能受到挑战。尽管当前由美国企业订单带来的营收占到了60%,表现出色,但长远来看,如果所有高端芯片生产都转移到美国,台积电可能会失去对其产品的完全控制权,从而影响其对全球客户的服务能力。此外,一旦市场上出现了替代方案,台积电的竞争地位可能会受到威胁,从而影响其长期的市场持续性。