众所周知，为了浇灭中国科技产业崛起的希望之火，美西方利用芯片技术优势，对中国科技进行了“小院高墙”的芯片制裁，从芯片制造设备到芯片设计软件，从先进AI芯片到芯片制造原材料，能“卡脖”的就“卡脖”，能封锁的就封锁，可以说，无所不用其极，手段相当恶劣。

但任何事情都是有两面性的，在打压中国科技的同时，美西方的霸权打压，也让全球芯片产业陷入了混乱，全球半导体产业也迎来了新一轮的变革，这对于中国芯来说，是危也是机。不可否认，在第一代硅半导体时代，美西方占据了绝对的话语权。但随着芯片原材料的更新换代，现如今已经进入了第三代半导材料氮化镓时代了，而中国则凭借着多年的技术研发和科技创新，取得了重大突破！

近日，根据媒体报道，中国科研团队成功研制了全球首个氮化镓量子光源芯片。没错，轮到西方傻眼了，中国在氮化镓量子光源芯片领域，取得了突破性的进展，实现了全球领先。这次的科研团队可以说是“天团”级，阵容相当豪华，除了电子科大信息与量子实验室外，还有清华大学、中科院上海微系统与信息技术研究所等强强联手。那么，这项创新性的突破技术，能给中国科技的崛起带来哪些影响呢？

首先，我们需要弄清楚，量子光源芯片究竟有什么用处？它是量子互联网的核心元器件，如果用户想要拥有量子信息的交互能力，就必须要有量子光源芯片，它的作用就是“点亮”整个量子互联网世界，是量子互联网技术的核心所在。

但制造量子光源芯片，困难重重，使用氮化镓制造量子光源芯片，面临的挑战更多。中国科研团队不仅攻克了高质量氮化镓晶体薄膜生长的问题，还解决了波导侧壁和表面散射损耗的难题。中国也成为了世界首个将氮化镓应用于量子光源芯片，且成功研制出氮化镓量子光源芯片的国家。

目前，大部分的国家和科研机构都还在使用氮化硅研制量子光源芯片，但中国科研团队却不走寻常路，选择了更偏僻、难度更大的新赛道。使用氮化镓制造量子光源芯片，和氮化硅相比，具备输出波长范围更大的优势！其波长范围可以从25.6mm增长至100nm，这就意味着，只要解决了氮化硅的相关技术难题，“点亮”的范围更大。

而量子互联网的搭建，需要更多波长资源，从这个角度来看，氮化镓材料才是制造量子光源芯片更好的选择，但技术难度也更大。现如今，中国科研团队已经成功完成了技术突破，未来可期！

还有一点需要强调的是，在不久前，这个科研团队已经刷新了一项世界纪录。相信在中国科技企业、高校和机构的共同努力下，中国量子互联网的发展将会更进一步。