在芯片制造领域里，光刻胶是不可或缺的关键材料，重要性不亚于光刻机，因为其质量和性能直接决定了集成电路的电性、成品率以及可靠性。不过，光刻胶也和光刻机一样，也具有很高的技术门槛。

在全球市场上，光刻胶技术一直被少数几个头部巨头所垄断，而我国在这一领域的发展相对滞后。数据显示，全球光刻胶第一大技术来源国为日本，日本光刻胶企业的专利申请量占全球总专利申请量的46%，并且，其光刻胶产品占全球市场份额至少在60%以上；其次是美国，其光刻胶专利申请量占全球专利总申请量的25%，相关企业的产品占全球市场份额约15%。

这意味着，整个光刻胶市场几乎被日美企业主导，特别在高端光刻胶市场上，日本占据绝对主导地位。

相比之下，我国的光刻胶技术发展相对落后，国产中高端光刻胶的自给率较低。具体而言，EUV光刻胶的自给率为0，ArF光刻胶的自给率仅占约1%，KrF光刻胶的自给率稍好一些，约为5%。国内企业的光刻胶产品也面临着一些挑战，目前，仅g/i线光刻胶实现了批量应用，KrF光刻胶仅在少数研发进度领先的企业中实现了小批量应用，最高端的EUV光刻胶则连研发都处于相当早期的阶段。

在这样的背景下，我国科研机构和相关科企一直在不懈努力，近日，传来了好消息，国内新型光刻胶技术迎来了新的突破。据湖北九峰山实验室官方账号近日发布的信息显示，其与华中科技大学组成联合研究团队，成功突破了“双非离子型光酸协同增强响应的化学放大光刻胶”技术。

这一技术通过巧妙的化学结构设计，利用两种光敏单元构建了“双非离子型光酸协同增强响应的化学放大光刻胶”。这一突破使得光刻图像的形貌和线边缘粗糙度得到了显著改善，space图案宽度值正态分布标准差（SD）极小，性能优于大多数商用光刻胶。

这一研究成果有望为光刻制造的共性难题提供明确的方向。简单来说，当半导体制造节点进入到100nm甚至10nm以下时，利用该技术有望解决产生高分辨率且截面形貌优良、线边缘粗糙度低的光刻图形的难题。同时，湖北九峰山实验室认为，此项研究成果可以为EUV光刻胶的着力开发提供技术储备。

这是一项重大突破，具有重要的意义。

光刻制造的“共性难题”是长期以来一直未能完美解决的问题，而华中科技大学团队设计的新结构体系和光响应机制方案解决了这一技术瓶颈，表明我国在光刻胶领域的研究实力处于前列。

同时，华中科技大学与湖北九峰山实验室联合研究团队取得的技术成果，为EUV光刻胶的开发提供了坚实的技术储备。这一突破预示着我国在EUV光刻胶领域即将实现从无到有的跨越，有望在不久的将来实现EUV光刻胶零的突破。对于国内光刻胶产业而言，这一突破将为其发展带来积极影响，有望推动国产光刻胶在中高端市场的竞争力提升，进一步提高自给率。

要知道，EUV光刻胶作为决定芯片工艺先进程度的关键材料，对于实现芯片产业的跨越式发展具有举足轻重的意义。华中科大所取得的这一具有自主知识产权的光刻胶技术突破，恰逢其时，为我国光刻胶产业的发展奠定了坚实的技术基础。

更值得高兴的是，这项技术体系已经在产线上完成了初步工艺验证，并且同步完成了各项技术指标的检测与优化，实现了从技术开发到成果转化的全链条打通。这表明，这项技术不仅停留在理论研究层面，而且在实际应用中得到了验证，为下一步的落地应用打下了坚实的基础。

可见，这项技术突破的意义巨大。当然，在我国的科技发展历程中，这样的突破并非首次，也不会是最后一次。我们有理由相信，随着我国科研实力的不断提升，未来在更多的高端领域，我们将看到更多“中国智造”的身影。